Úvod
cez "ctrl+f" hladaj :D
ZIM
- Základy atómovej teórie:
● Rutherfordov model atómu: Príťažlivá elektrostatická sila medzi elektrónmi a jadrom je kompenzovaná odstredivou silou. Predstava je v rozpore s klasickými zákonmi elektrodinymiky. Atómy majú stále čiarové spektrá.
● Kvantová teória: Pri pozorovaní absolútne čierneho telesa prišiel Planck na to že energia nie je vyžarovaná a pohlcovaná spojite, ale po kvantách. Kvantum je celistvý násobok elementárneho kvanta: W = h.f. Planckova konštanta je h = 6,626.10-34 Js. f je frekvencia žiarenia. Teória vysvetľuje Einsteinov fotoelektrický jav. Predpokladá, že svetlo je zložené z fotónov, ktoré sa pohybujú rýchlosťou svetla. Po dopadnutí na kov odovzdajú energiu elektrónom. Jeden fotón uvoľní jeden elektrón.
● Elektrónová teória: Vlastnosti atómov sú charakterizované Bohrovými postulátmi, Pauliho vylučovacím princípom, pravidlom maximálnej multiplicity a kvantovými číslami. Vlna a častica sú len 2 formy tej istej fyzikálnej reality. Častica, alebo kvantum svetla sa nazývajú fotóny. . Pohyb elektrónu je opísaný vlnovou funkciuo (de Broglieho vlnou) ψ. Vlnová funkcia je funkcia priestorových súradníc elektrónu a štvorec ψ2 je pravdepodobnosť, že elektrón sa nachádza v danom priestore. Elektrón je elementárna častica, ktorá obieha okolo jadra po kvantových dráhach a má záporný náboj (1e- = 1,602.10-19).
● Bohrove postuláty:
1) Elektrón sa pohybuje po kruhovej dráhe určujúcej kvantovú podmienku: m.v.r = n.(h/2π);
2) Každá kvantová dráha predstavuje určitý stacionárny stav elektrónu v atóme, ktorý char. č. n. Jednotlivé stavy sa odlišujú obsahom energie
3)Vyžarovanie alebo pohlcovanie energie sa uskutočňuje len pri prechode medzi kvantovými dráhami. Prechod elektrónu medzi energetickými stavmi sa uskutočňuje po kvantách
● Kvantové čísla:
Hlavné kvantové číslo n: označuje elektróny jednej vrstvy. Označujeme ich K, L, M, N, O , P, Q (n = 1...7). Max. počet elektrónov na 1 vrstve je 2n2
Vedľajšie kvantové číslo l: charakterizuje elektróny líšiace sa energiou v rámci vrstvy – orbitály a tiež moment hybnosti elektrónu. Orbitály označujeme s, p, d, f, g, h. Každá vrstva má konšt. Počet orbitálov. Orbitál predstavuje objemový element priestoru, v ktorom sa pravdepodobne vyskytuje častica v danom momente. Orbitály s takmer rovnakou energiou tvoria vrstvy. (l = 0, 1 ... n-1)
Magnetické kvantové číslo m: určuje projekciu dráhového magnetického momentu do predpísaného smeru. Daný orbitál sa teda štiepi na (2.l + 1) skupín. Umiestnením atómu do silného magnetického poľa sa štiepia spektrálne čiary, pretože elektróny sa líšia obsahom energie. (m = -l,..-1,0,1,...l)
Spinové kvantové číslo s: rozlišuje kvantový smer rotácie elektrónu okolo svojej osi – spinu. (s = ±0,5)
● Pauliho vylučovací princíp: V atóme nemôžu existovať 2 elektróny s rovnakými kvantovými číslami. Maximálny počet elektrónov v orbitále je 2.(l+1) vo vrstve 2n2.
● Hundovo pravidlo: Elektróny obsadzujú orbitály tak, aby pred ich spinovým párovaním bolo na orbitáloch daného typu čo najviac elektrónov s rôznym magnetickým číslom.
- Kryštály:
● Poruchy kryštálovej mriežky:
Bodové poruchy: Vakancie (prázdne miesta): vplyvom vysokej teploty. Interstície (atómy v medziuzlovej ploche). Substitúcie (cudzí atóm na mieste základného). Súvisia s čistotou a chem. zložením materiálu. Vakancie a interstície zvyšujú elektrický odpor.
Čiarové poruchy: Dislokácie sú charakterizované geometr. a energetickými faktormi. Rozlišujeme dislokácie hranové a skrutkové. Pohyb dislokácii sklzom umožňuje plastickú deformáciu a pohyb šplhom umožňuje difúziu.
Plošné poruchy: Vrstevná chyba môže vzniknúť sklzom, vybratím 1 atómovej roviny a vložením 1 atómovej roviny. Iným typom je mozaika zŕn.
V iónovom kryštále:
Frenkelova porucha: Súčasný výskyt (+) iónu v intersticiálnej polohe a vakancie na mieste (+) iónu.
Schottkyho porucha: Súčasný výskyt vakancie na mieste (+) aj na mieste (-) iónu. Výskyt je v hustých mriežkach. Tieto porucha uľahčujú prenos častíc, čím podp. difúziu, el. a tep. vodivosť.
● Chemické väzby: Závisia od vonkajšieho el. obalu. El. sú usporiadané tak aby ich celková en. Bola čo najmenšia a stabilita čo najväčšia.
Iónová: Elektrostatická príťažlivá sila medzi kladne a záporne nabitými iónmi. Je typická pre izolanty.
Kovalentná: Je tvorená dvojicami el. spoločnými pre oba atómy. Je typická pre polovodiče. Môže byť polárna, alebo nepolárna.
Kovová: Je väzba medzi katiónmi a el. prvkov s malým počtom val. el., kt. sú slabo viazané k jadru. Podmienkou je tesné usporiadanie atómov v mriežke. Materiály majú dobrú tepelnú a el. vodivosť a nie sú priesvitné. Je typická pre kovy.
● Pásmová teória: Elektróny môžu svoju en. zväčšovať len v skokoch (nie spojite). Hladiny dovolených en. sú oddelené hladinami zakázaných energií. En. hladiny sa štiepia a vytvárajú en. pásma.
Vnútorné: Nemá vplyv na prenos náboja
Vonkajšie (valenčné): sústava en. hladín, kt. el. vytvárajú chem. väzby. V izolantoch a polovodičoch je to najvyššie zaplnené pásmo. Vo vodičoch je neúplne zaplnené splýva s vodivostným pásmom. Horná en. hladina valenčného p. je ozn. ako Wv.
Zakázané: Oblasť energií, kt el. nemôžu nadobudnúť. Je medzi val. a vodiv. pásmom. El. z val. pásma nemôže prejsť do vodivost. Ak namá vyššiu en. ako je širka zakázaného pásma. Táto šírka je materiálovo konštantná. Jeho šírka je označená ako ΔWz.
Vodivostné: En. pásma v kt. sú el. uvoľnené z chem. väzieb. Je to čiastočne zaplnené pásmo vo vodičoch a vôbec nezaplnené u polovodičov a izolantov pri T=0K. Dolná hladina je ozn. ako Wc.
● Kvapalné kryštály: Kvapalné látky, ktoré sa v určitom intervale teplôtvyznačujú určitou usporiadanosťou → anizotropiou. V pevnej fáze sa zahrievaním premenia na mliečne zakalenú kvapalnú látku a ďalším zahrievaním sa kvapalina vyjasní → izotrópna kvapalina.Mezomorfná štruktúra je taká ktorá sa snaží si na rozhraní kvapalnej a tuhej látky udržať pravidelné usporiadanie.
Smektická štruktúra: jednotlivé molekuly sú zoradené tak, že majú rovnobežné osi a v rovinách, pravidelne. Ešte nenašla využitie.
Nematická štruktúra: molekuly majú rovnobežné osi. Má elektrooptické vlastnosti – zmenou el. poľa dosiahneme zmenu opt. vlastností. Našla široké uplatnenie. (Zvláštnym druhom nem. štr. Je cholesterická štruktúra – zmena tepla – rozptyl svetla – inej teplote odpovedá iná farba).
LCD (Liquid Crystal Dysplay): Vypĺňa ho kvap. kryštál. Pracuje na princípe zmeny natočenia kryštálov pri pôsobení elektrostat. poľa. Na budenie sa používa striedavé napätie. Pre farebný obraz sa aplikujú farebné filtre.
- Vodiče:
● Fermi – Diracova štatistika: (Fermi – Diracova rozdeľovacia funkcia) hovorí o pravdepodobnosti obsadenia enrget. hladín elektrónmi. Až po fermiho hladinu pri absolútnej 0. Pri vyššej teplote, elektróny obsadzujú aj hladiny nad femiho hladinou. Wf je fermiho energia. V polovodičoch a izolantoch je Wf medzi valenčným a vodivostným pásmom. Leží v strede šírky zakázaného pásma. V kovoch predstavuje Wf max. energiu elektrónov pri teplote abs. 0.
● Termoelektrické vlast. kovov: Vodivým spojením 2 kovov vzniká el. potenciál. Dochádza k tunelovému priechodu el. a vyrovnaniu ich Fermiho hladín. Uzavretím okruhu a uvedením koncov na rozličné teploty potečie prúd v dôsl. termoel. napätia (vznikn. z kontaktového a objemového). Objemové vzniká difúziou voľných nosičov náboja z vyššej do nižšej konc. Termoel. jav sa využíva k meraniu teploty.
● Magnetické vlast. kovov: Sú dané výsledným magnetickým momentom atómov, zloženým z dráhových momentov (DM) a spinových momentov (SM).
Diamagnetické: DM a SM sú vykompenzované. Výsledný magn. Moment je 0. Vložením do magn. poľa sa dráha el.deformujú. Indukuje sa magn. moment oslabujúci vonk. magn. pole. Magnetická susceptibilita κ je záporná a veľmi malá (-10-5).Patria sem inertné plyny, organické látky a H, Cu, Ag, Be, C, Si...
Paramagnetické: SM sú vykompenzované, moment je daný nevykompenzovanými DM el., kt. sú neusporiadané kým na ne nepôsobí vonk. magn. pole. Magn. momenty sa orientujú do jeho smeru a zosilňujú ho. Κ je vždy kladná (10-5 – 10-2), Relat. permeabilita μr>1. Patrí sem kyslík, niektoré ogidy, Al, Cu, Mg, W...
Feromagnetické: DM sú takmer vykompenzované, výsledný magn. moment je daný SM el. V určitých oblastiach vznikajú domény – látka je zmagnetizovaná do nasýtenia bez účinku vonk. magn. poľa. Po prekročení (Currieho) feromagn. Teploty sa látka stáva paramagnetikom. Ľahko sa zmagnetizuje aj v slabom magn. poli a magnetizácia ostáva zachovaná. κ aj μr sú vysoké (106), silne závislé od teploty a intenzity magn. poľa. Patria sem Fe, Co, Ni a ich zliatiny.
Antiferomagnetické: S anti paralelne orientovanými SM. κ rádovo ako u paramagnetík. Pri currieho teplote dochádza k porušeniu antiparalelných spinov. Patria sem oxidy, sírniky, chloridy Mn, Cr, Fe, Co, Ni...
Ferimagnetické: sú zvláštnym prípadom antiferomagnetík. Momenty nie sú rovnaké a nekompenzujú sa – prejavujú rozdielový magnetický moment. Patria sem ferity.
● Faktory ovplyvňujúce vodivosť vodičov:
Pohyblivosť u: Súvisí s teplotou, tepelnými kmitmi a poruchami kryšt. Mriežky. Je def. ako rýchlosť elektrónov v vztiahnutá k intenzite el poľa E (u=v/E).
Teplota T: S rastom teploty rastie odpor materiálu. Nad Debeyovou teplotou – 100K rastie rezistivita lineárne s teplotou. Pomer el. a tepelnej vodivosti je podobný pre vš. kovy. Súvis el. a tep. vl. kovov je char. Wiedemann-Franzovým zákonom.
Rezistivita ρ: [ρ]=Ω.m. Udáva čís. Odpor napr vodiča dl. 1 m s prierezom 1 m2 a pri teplote 20° C. Vodiče majú rez. Od 10-2 do 101 μΩm. Teplotný súčiniteľ odporu αR: udáva číselne o akú hodnotu sa zmení odpor vodiča 1Ω ak sa zvýši jeho teplota o 1°C. Môže myť kl. al. záp. Rezistivita klesá na 0 pri kritickej teplote - supravodiče
Tlak p: Pri väčšine kovov klesá rezistivita s rastúcim tlakom.
Prímesi: Rezistivita rastie s rastúcim obsahom nečistôt. Akákoľvek cudzia látka alebo porucha sťaží prechod el.prúdu → vyššia rezistivita. Zliatiny majú menšiu konduktivitu → s rastúcou čistotou, rastie konduktivita
Usporiadanosť: Rezistivita, rastie s rastúcou neusporiadanosťou. Rezistivita sa zníži žíhaním, poklesne neusporiadanosť mriežky.
Deformácia za studena: Do mriežky sa zavádzajú poruchy → zvyšuje sa vnútorné napatie aj rezistivita.
- Neželezné kovy a ich zliatiny vo výrobe a v praxi:
● Meď: Je načervenalý kov, dobre tvárniteľný. Má vynikajúcu vodivosť. Tieto vlastnosti klesajú obsahom nečistôt. Je odolná voči korózii. Ľahko sa odplyňuje. Nehodí sa na stavovanie so sklami. Krehne vplyvom „vodíkovej nemoci“.
Používa sa ako vodič pre el. energiu vzdušným vedením, alebo ako vodivé jadro káblov. V porovnaní s hliníkom je dosť drahá a preto sa ním nahradzuje. Drôty sú chránené kaučukovou izoláciou a cínovým povlakom. Dobre sa spájkuje pri nízkych teplotách. Používa sa vo forme fólií pri výrobe plošných spojov. Vyrába sa valcovaním, alebo galvanickým vylučovaním na katóde.
Pre výrobu vodičov sa používa meď elektrovodná – ECu. Meď s potlačeným obsahom kyslíka – Cu – OFHC (Oxygen Free High Conductivity) – netrpí vodíkovou nemocou. Vysokočistá meď (99,999%) sa používa na výrobu (nosníkov) targetov, mikrodrôtov...
Zliatiny: mosadze, bronzy (CuSn), CuCo, CuFe...
● Hliník: Je biely, striebrolesklý mäkky kov. Na vzduchu sa pokrýva sivobielym povlakom. Má veľmi malú hustotu. Má malú mechanickú pevnosť – dá sa zvýšiť (mikro)legovaním. Pomerne dobre odoláva kyselinám a zásadám.
Využíval sa pri výrobe zbraní, neskôr v letectve. Jeho el. vodivosť je asi 65% medi. Je 3tím najl. vodičom za Ag a Cu. Využívajú sa aj dielektrické vlastn. oxidu. Vo forme povlakov sa používa ako reflektor žiarenia v obrazovkách.
- Supravodiče:
Supravodivosť je pokles rezistivity niektorých kovov a zliatin pri teplote blízkej abs. 0.U niektorých materiálov poklesne rezist. Aj 16x oproti izbovej teplote. Tento jav bol objavený na ortuti a v súčasnosti existuje len 27 prvkov a asi 1500 zliatin u ktorých bol jav SV objavený. Zatial sa nepotvrdil u ušťachtilých ani alkalických prvkov.
Supravodivý jav je považovaný za samostatný jav materiálu s vyšším stupňom poriadku, ak sa entrópia rovná 0. Je to vratný stav.
SV stav nastane ak sú splnené 3 podmienky:
● Tepolota SV je nižšia ako kritická teplota Tk
● Intenzita magnetického poľa je nižšia ako kritická intenzita Hk
● Hustota prúdu je nižšia ako kritická hustota Jk
Použitie: na prenos el. energie pri 100% účinnosti, ako trecie ložiská, vo vysokomagn. Solenoidich, na zníženie Joulových strát v jadrách – prenos veľmi veľkých výkonov, súčiastky do veľmi rýchlych počítačov, v oblasti digitálnej techniky (Josephsonova tunelujúca štruktúra)...
- Elektrické vlastnosti izolantov a dielektrík:
● Izolanty a dielektriká: Izolanty sú látky s veľkým odporom elektrického prúdu. Dielektriká majú schopnosť hromadiť el. energiu napr. v kondenzátoroch. Ich hlavným parametrom je relatívna permitivita. Využívajú sa na izoláciu vodivých telies. Je zložená z nábojov vzájomne viazaných elektrostat. silami. Neobsahuje žiadne alebo veľmi málo voľne pohyblivých el. nábojov. Vodivosť izolantov je σ<10-8 Sm-1. Zakázané pásmo je široké až 3eV a viac. Izolant sa char. ● Relatívnou premitivitou εr ● elektrickou vodivosťou σ (vnútorná σv a povrchová σ) ● dielektrickými stratami tgδ ● elektrickou pevnosťou Ep. Každý izolant je aj dielektrikom, nie každé dielektrikum je aj izolantom. Izolanty sa charakterizujú aj triedou tepelnej odolnosti, ktorá klas. Izolant z hľadiska max. teploty pri ktorej vykazuje optimálnu životnosť. Existuje 7 teplotných tried (Y, A, E, B, F, H, C);
● Polarizácia dielektrika: Je proces, pri ktorom dochádza k narušeniu symetrie el. nábojov. Následkom toho sa vytvárajú el. dipóly a každý má svoj dipólový moment. Dochádza k vysúvaniu el. nábojov z rovnovážnych polôh. Dipólové molekuly sa orientujú v smere poľa. Polarizovateľnoť je základná vlastnosť dielektrík. Polarizácia z makroskop. hľadiska: pozeráme sa na ňu ako na pomer dipólového momentu a objemu izolantu.. Tento pomer vzniká ako výsledok exist. obrovského počtu dipól. Momentov. Polarizácia z mikroskop. hľadiska: Pozeráme sa na ňu ako na pružné posunutie viazaného náboja v smere (-) alebo proti smeru (+) el. poľa. Druhy polarizácie dielektrík:
Pružná elektrónová a iónová: rýchly priebeh, veľmi krátka doba trvania (10-12 – 10-15 s), bez strát energie. Spočíva v posuve kladných a záporných nábojov opačnými smermi.
Relaxačná dipólová a iónová: pomalý priebeh, chaotické tepelné pohyby častíc sú usmernené, vzniká nesymetrické rozloženie nábojov, vzrast dipólového momentu. Relaxačný čas τ (10-2 – 10-10 s) – interval za ktorý po odpojení el. poľa polarizácia klesne na 37%.
Medzivrstvová (migračná): vznik indukovaného dipólového momentu na makroskopické vzdialenosti v dôsledku rôznej pohyblivosti voľných nábojov. Je typická pre nehomogénne dielektriká (viacvrstvové izolanty) a má nelineárny char. Doba ustálenia je 10-3 – 10-7 s.
Spontánna (samovoľná): orientácia spontánne vytvorených el. momentov do smeru intenzity vonk. poľa. Je typická pre feroelektriká. Závisí od frekvencie, nad Currieho teplotou zaniká.
Rezonančná: súvisí s vlastnou frekvenciou kmitania elektrónov. Môže byť elektrónová al. iónová. Vyskytuje sa pri viditeľnom svetle a je dôležitá pre spektrálnu analýzu.
● Relatívna permitivita: Charakterizuje vplyv elektrického poľa na elektrický stav dielektrika. Patrí k najdôležitejším charakteristikám. Je merítkom polarizácie. Je to bezrozmerná veličina. Závisí od: - charakteru polarizačných procesov, - teploty, - frekvencie. V niektorých prípadoch je evidentný aj vplyv el. poľa.
● Závislosti permitivity:
Permitivita plynných izolantov: U plynov sú vzdialenosti molekúl veľmi veľké a ich vzájomné pôsobenie môžeme zanedbať. εr je väčšie alebo približne rovné 1. Polarizácia môže byť len elektrónová a dipólová. εr je tým väčšia, čím väčší je polomer molekuly.
Permitivita kvapalných izolantov:
U nepolárnych kvapalných izolantov sa εr pohybuje od 1,8 do 2 (2,5). εr nezávisí od frekvencie. Polarizovateľnosť molekúl je tepl. nezávislá. Platí tu Clausius – Mossottiho rovnica – v dôsledku tepl.rozťažnostisa mení v jednotke objemu počet dipólových momentov. (s. 63; obr. 5.4, 5.5)
Dipólové kvapalné izolanty majú elektrónovú a dipólovú polar. Ich εr je tým väčšia, čím rýchlejšie sa molekuly pohybujú. Pri veľmi nízkych teplotách sa molekuly nemôžu otáčať. So stúpajúcou teplotou sa podmienky zlepšujú. Permitivita je závislá aj od frekvencie. (s. 63; obr. 5.6, 5.7)
Permitivita tuhých izolantov:
U nepolárnych tuhých látok sa pohybuje εr od 2 do 2,2. Vyskytuje sa iba elektrónová polarizácia. Závislosti na teplote a frekvencii sú rovnaké ako v nepol. kvapal. izolantoch. Môže sa uplatniť aj migračná.
V dipólových tuhých izolantoch sa vyskytuje elektrónová a dipólová polarizácia. Závislosť permitivity je rovnaká ako u kvapalných dipólových izolantoch. Môže sa pridružiť aj migračná polar.
V iónových kryštalických látkach sa vyskytuje elektrónová a iónová pružná polarizácia. Pružné ióny sledujú frekvenciu až do 1012 Hz. Pri technickej frekvencii je nezávislá. Permitivita je závislá aj od teploty. (s. 64; obr. 5.8, 5.9)
V iónových sklovitých látkach sa vyskytuje elektrónová, iónová relaxačná a pružná polarizácia. Teplotná a frekvenčná závislosť je rovnaká ako u kvapalných dipólových izolantov.
Vo feroelektrikách sa vyskytuje elektrónová, iónová pružná a spontánna polarizácia. Závislosť polarizácie od int. el. poľa je nelineárna. Pohybuje sa po hysteréznej slučke. Frekvenčná závislosť je ako pri kvapalných dipólových izolantoch. Teplotná závislosť je permitivita so vzrastom teploty hyperbolicky klesá → Curieho teplota. (s. 65; obr. 5.10, 5.11; s. 66; obr. 5.13, 5.14)
U slabo polárnych tuhých látok sa εr pohybuje od 2,2 do 3 a u polárnych od 3 do niekoľko 100 alebo 1000.
● Dielektrické straty: Po vložení dielektrika do el. poľa sa určitá časť energie premieňa na teplo. S výnimkou el. ohrevu sú tieto straty nežiaduce. V jednosmernom poli su dielektr. straty spôs. vodivosťou mat. Diel. Straty môžeme rozdeliť na: - vodivostné, - polarizačné, – ionizačné. Celkové straty sú súčtom vš. 3 strát. Vyskytujú sa vo vš. izolantoch. Stratový uhol δ je doplnok k 90° k uhlu fáz. posunu φ, ktorým prúd predbieha napätie. Stratové číslo (bezrozmerné): εrtgδ – char. kvalitu izolantu. Činiteľ dielektrických strát tgδ je bezrozmerná veličina.
V plynných izolantoch: sú zapríčinené ich el. vodivosťou. Vodivostná zložka strát nie je rozhodujúca. Vodivosť plynov je frekvenčne nezávislá a tgδ s rastúcou frekvenciou hyperbolicky klesá. Teplotná závislosť závisí od vodivosti a εr. (s. 69; obr. 5.16)
V kvapalných izolantoch:
V nepolárnych kvapalných izolantoch sa vyskytuje iba elektrónová polarizácia a v oblasti elektrotechn. frekvencií je bezstratová. Vyskytujú sa tu iba vodivostné dielektr. straty. Elektrická vodivosť izolantov s teplotou exponenciálne rastiem rastie aj tgδ exponenciálne s teplotou. So vzrastom frekvencie tgδ klesá. (s. 69; obr. 5.17, 5.18)
V dipólových kvapalných izolantoch okrem elektrónovej, sa môže uplatniť aj dipólová polarizácia. Vyskytujú sa vodivostné aj polarizačné straty. Závislosť tgδ je rovnaký ako u nepolárnych kvap. izolantov. (s. 70; obr. 5.19, 5.20, 5.21)
V tuhých izolantoch: môžu sa uplatňovať vodivostné (vo všetkých), polarizačné (v ktorých sa vyskyt. Stratové polarizácie) a ionizačné (v ktorých sú vzduchové bublinky) dielektrické straty.
V nepolárnych tuhých izolantoch sa vyskytuje iba elektrónová polarizácia a uplatňujú sa iba vodivostné diel. straty. Závislosť tgδ je rovnaká ako unepolárnych kvap. izolantoch.
V dipólových tuhých izolantoch sa uplatň. el. a dipól. polarizácia. Závislosť je rovnaká ako u nepolárnych tuhých izolantov, ale sú o niečo menej výrazné.
V iónových kryštalických izolantoch sa uplatňuje el. a iónová pružná polarizácia. V oblasti elektro. frekvencií sú bezstratové. Závislosti tgδ od teploty a frekvencie sú rovnaké ako u nepolárnych tuhých izolantov.
V iónových sklovitých látkach sa vyskytuje el. a iónová relaxačná polarizácia. Existujú v nich vodivostné a polarizačné dielektrické straty. Závislosť tgδ od frekvencie je rovnaká ako u dipólových tuhých izolantov. V závislosť od teploty sa nepozoruje maximum, pretože tgδ exponenciálne rastie s teplotou.
Feroelektriká sa vyznačujú elektrónovou, iónovou pružnou a spontánnou polarizáciou. Spontánna polar. je spojená so značnými dielektr. stratami. Vyskytujú sa tu vodivostné aj polarizačné straty. Vodovostná zložka je podobná ako u nepolárnych tuhých izolantov. Polarizačná zložka tgδ teplotnej a frekvenčnej závislosti jasne vyjadruje svoje maximá. Nad Curieho teplotou sa vo feroelektrikách vyskyt. Iba vodivostné dielektr. straty, lebo spontánna polar. zaniká.
● Elektrická pevnosť izolantov: Existujú 2 štádia prierazu:
1. štádium prierazu: náhly vzrast vodivosti izolantu → koncentrácia nosičov nábojov → sôs. El. poľom. Ide o prieraz:
Čiste elektrický: procesy elektrónovej povahy (náraz. ioniz., tunel. elektr.)
Elektrotepelný: procesy tepelnej povahy
2. štádium prierazu: degradačné účinky (dočasné u plynov, kvapalín, trvalé u tuhých izolantov)
Prieraz: úplný výboj tuhého izolantu, pokles napätia a nevratne zhoršené vlastnosti. Blesk je čisto el. prierazom. Tepelný prieraz nastáva ak dôjde k tepelnoelektrickej nerovnováhe.
Preskok: je úplný výboj v plynnom, ale kvapalnom prostredí → pokles napätia na elektródach
Koróna: čiastkové výboje v miestach najsilnejšieho el. poľa.
Iskra: krátkodobý výboj, v plynoch
Sršanie: čiastkové výboje v tvare trsov → slabý praskot
- Plyny:
● Elektronegatívne plyny: Majú vo svojich molekulách F al. Cl a vyznačujú sa veľkou el. pevnosťou, nehorľavosťou a chem. stálosťou. Používajú sa najmä v stlačenom stave. Ich molekuly majú schopnosť zachytávať voľné el. Najviac používaným plynom je Elgaz – SF6. Je 5x ťažší ako vzduch, nehorľavý do 200°C. Používa sa ako izolačné a chladiace médium v suchých transformátoroch.
● Inertné plyny: Patria sem He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn. Sú to nereaktívne plyny, kt. sa vyrábajú frakčnou destiláciou skvapalneného vzduchu. Hélium zo zemského plynu. Sú bezfarebné, bez chuti a bez zápachu. Tvoria 1-atómové molekuly. Ich vlastnosti sa plynulo menia od He až po Xe. Rastie ich hustota, bod varu, klesá merná tep. kapacita. Xe a Kr sa používajú len málo, pre ich vysokú cenu. Použ. pri výrobe svetelných zdrojov.
Argón: Je najviac používaným vzácnym plynom. Vo vzduchu sa ho vyskytuje menej ako 1%. Teplota varu je -185°C. Je nekorozívny, nehorľavý, netoxický. Je ľahko skavapalniťeľný. Používa sa pri výrobe monokryštálov (Czochralského metóda). Pri (oblúkovom) zváraní, spájkovaní...
Hélium: Je druhým najľahším prvkom. Bod varu je -268,9°C. Hélium je jediným prvkom, kt. je kvapalný aj pri abs. 0. Vo vzduchu sa vyskytuje v mn. 0,005%. Získava sa najmä z ropy a zem. plynu. Plnia sa ním balóny, používa sa v letectve, v zmesi s kyslíkom ako plyn pre potápačov, v supravodičových magnetoch...
- Polovodiče:
Tvoria článok medzi el. vodivými a el. nevodivými látkami. Zahrňujeme tu vysokočisté prvky a zliatiny s polovodivými vlastnosťami. Majú zaručenú šírku zakázaného pásma.
● Vlastný polovodič: Nazýva sa intrizický. Neobsahuje žiadne poruchy v kryšt. mriežke. Ideálny monokryštál ma kovalentné väzby a diamantovú štruktúru. Pri vyššej teplote sa elektróny uvoľnia → el. preskočil z valenčného do vodivostného pásma. Je pravdepodobné že na voľné miesto preskočí iný elektrón. Prázdne miesto sa javí ako kladne nabité, ale kryštál ako celok je el. neutrálny. Pohyb el. možno nahradiť pohybom fiktívnej kladne nabitej častice, označovanej ako diera. Diery sú voľné miesta vo valenčnom pásme. Diera slúži pre opis vodivosti v polovodiči. Pohybom dier vzniká dierový prúd. V praxi majú vlastné polovodiče len obmedzené použitie. Sú to východiskové materiály pre výrobu prímesových polovodičov. Generácia (proces vzniku) voľných nosičov je tepelný proces. Rekombinácia (zánik) je sprevádzaná vyžiarením kvanta energie.
● Prímesový polovodič: Vlastné polovodiče sa najprv maximálne vyčistia, aby sa mohli zámerne znečistiť. Prímesami možno regulovať veľkosť rezistivity a charakter el. vodivosti polovodičov. Prímesi predstavujú poruchy kryštálovej mriežky a môžu byť el. pasívne alebo aktívne.
Polovodiče typu N: Ak má prímesový prvok o jeden val. el. viac v polovodiči prevažuje elektrónová vodivosť. Prímesové atómy sú donormi (P, As, Pb v Si). Donory sú prvky s jedným mocenstvom vyšším ako mocenstvo základného polovodiča. Elektrón na viac nie je voľný ale na väzbe sa nezúčastňuje. Priťahuje ho kladné jadro atómu. Ale stačí dodať malú energiu a elektrón sa odtrhne a začne sa voľne pohybovať. Elektróny sú majoritné nosiče náboja. Diery sú minoritnými.
Polovodiče typu P: Ak má prímesový prvok o jeden vodivostný elektrón menej, prímesové atómy sú akceptormi a prevažuje dierová vodivosť (B, Al, Ga, In v Si). Keďže atómy sú napr. 3mocné, chýba im 1 el. na vytvorenie 4-tej kovalentnej väzby. Toto miesto sa javí ako kladne nabite, celkový kryštál, je však el. neutrálny. El. z vedľajšej väzby môže preskočiť na toto miesto a diera sa tak posunie. Energia preskakujúceho el. je o niečo vyššia, ako by bola energia riadneho el. kt. by bol na tomto mieste. Aby el. mohol preskočiť musíme mu dodať potrebnú energiu.Diery sú majoritné nosiče náboja, el. sú minoritné.
● Fickove zákony: (Difúzia voľných nosičov náboja) Difúzia je proces pri kt. nejaké častice prenikajú samovoľne do iného prostredia je to spôsobené nerovnováhou (termálnou al. koncentračnou). V polovodičoch je difúzia ponímaná ako vyskokoteplotný spôsob dotovania polovodičových vrstiev, kt. využíva termický pohyb difundujúcich častíc. K difúzii dochádza pri nerovnomernom znečistení vzorky, zahriatim jednej časti, dotykom s inými látkami a pod. Riadi sa Fickovými zákonmi. Difúzia vyvoláva tzv. difúzny prúd. Mechanizmy difúzie – výmenný, intersticiálny, vakačný, intersticiálne-substitučný. Príčiny difúzie sú: - nerovnomerné rozdelenie náboja (tok z vyššou konc. do nižšej konc.), vznik gradientu konc. a difúzneho prúdu. – nerovnomerné rozloženie teploty, gradient teploty.
1. Fickov zákon: Hovorí, že hustota difundujúcich častíc ja úmerná koncentračnému gradientu dn/dx a tok častíc smeruje do miesta menšej koncentácie
2. Fickov zákon: Určuje rozloženie nadifundovaných častíc, to zn. koncentračný alebo difúzny profil. Definuje aj časovú zmenu koncentrácie v objemovom elemente o hrúbke dx.
Difúzia sa využíva v oblasti elektrotechn. technológií a najmä k dotácii pre vytváranie vrstiev. Difúzia sa využíva aj pri výrobe tranzistorov a diód – zlato difunduje do povrchu. Zlato má veľký difúzny koeficient.
Pôvodne neutrálny polovodič sa nabíja, pretože difundujúce častice zanechávajú náboj opačného znamienka. Difúzny prúd je vždy sprevádzaný ohmickým (driftovým) prúdom. Rovnovážny stav nastane, keď sa difúzna prúdová hustota vyrovná ohmickej. Pôsobením el. poľa s int. E nastane nerovnovážny stav.
● Schottkyho kontakt: (kontakt kov - polovodič) je známy v el. ako jav zapríčinený nerovnakou vnútornou energiou voľných elektrónov v okolí styku 2 rôznych materiálov. Úniku el. z kovu zabraňuje fitívna 2-vrstva na jeho povrchu. Ohyb en. hladín závidí od výstupných prác el – dochádza k vyrovnaniu Fermiho hladín. O tom či sa na prechode vytvorí usmeräujúci, alebo ohmický kontakt, rozhoduje výst. práca el. – en. potrebná na prechod z Fermiho do hladiny s 0 en.
Ak je v bezkontaktnom stave výstupná práca el. z kovu > ako výst. práca el. z polovodiča, prechod kovu s N polovodičom bude mať usmerňujúce účinky. Prechod kov – P polovodič – ohmické účinky. A naopak.
V prípade prechodu s usmerň. vlast. prechádzajú náboje z polovodiča do kovu a vytvorí sa Schottkyho 2-vrstva. Ohyb en. pásov u polovodiča.
V prípade ohmického kontaktu – vodivostné pásmo N zasahuje pod fermiho hladinu a val. pásmo P nad fermiho hladinu (napr. Au-Ge).
● PN priechod: za PN priechod (PNp) sa považuje: - priestorová zmena polovodiča, - oblasť polovodiča, v kt. sa mení el. vodivosť P na N, - rozhranie deliace dierovú a el. vodivosť v tom istom polovodiči.
V stave bez priloženého napätia: kvôli rozdielnym koncentráciám nastáva difúzia. (el. z N do P a diery z P do N). V dôsl. Difúzie vznikne el. pole a ohmický (aj difúzny) prúd. V okolí PN priechodu vznikne hradlová vrstva (ochudobnená o voľné nosiče náboja) Táto vrstva je príčina jednosmernej priepustnosti PN priechodu, má najväčší odpor a jej hrúbka sa dá regulovať napätím
Záverný smer: Diery z polovodiča N smerujú do P a el. z P do N. Hradlová vrstva sa zväčšuje. Až kým vznikne nasýtený prúd. Majoritné častice sú vytláčané zo stredu PNp na okraj a vzniká veľký odpor. Minoritné častice zapríčiňujú malý záverný prúd (rádovo v μA).
Priepustný smer: PNp je zapojený opačne. Pri určitej veľkosti napätia hradlová vrstva zanikne. PNp začnú prechádzať majoritné nosiče prúdu.
Kapacita PNp: Je podmienená pôsobením nábojovej dvojvrstvy, ktorá zasahuje do hĺbky w. Kapacitu PN priechodu určíme ak poznáme koncentráciu akceptorov, koncentráciu donorov a plochu PNp S.V závernom smere je vodivosť malá a kapacita výrazná. Kapacitu PNp využívajú varikapy.
Prieraz PN priechodu: Pri závernom smere dosiahne nasýtený stav a prestane závisieť na napätí. Záverné nap. dosiahne kritickú hodnotu a dochádza k rýchlemu vzrastu prúdu, rozvíja sa prieraz PNp.
Lavínový: Typický pre vysokoohmový PNp. Minoritné nosiče ioniujú atómy v mriežke. Rastie koncentrácia nosičov → nárazová ionizácia. Takto pracujú Zenerové diódy (v závernom smere) na stabilizáciu napätia. Hradlová vrstva musí byť dostatočne hrubá.
Tunelový: Nastáva pri veľmi vysokých intenzitách (až 105 Vcm-1). Jav sa nazýva Zenerov. Využíva sa v zenerových diódach, kt. majú veľmi tenkú hradlovú vrstvu. Pri malom napätí dosiahneme silné el. pole. prieraz sa uskut. tunelovaním el. cez hradl. vrstvu.
Tepelný: Je podmienený vznikom tepla pri prechode prúdu. Ak odvod tepla nie je dostatočný, dochádza k exponenciálnemu nárastu el. vodivosti a ďalšiemu nárastu tepla. Dochádza k prierazu v závernom smere. Prejaví sa vzrastom prúdu a poklesom napätia. Nie je to bežný jav pri záver. prúdoch.
● Príprava polovodičov:
Czochralského metóda prípravy monokryštálov: Zárodok monokryštálu upevnený na ťahacom hriadeli je priložený k tavenine v kremennom tégliku v grafitovom ohrievači pomaly vyťahovaný a rotovaný proti smeru otáčania taveniny. Prebieha to v inertnej atmosfére, alebo vo vákuu. Koncentrácia prímesí sa mení pozdĺž ťahaného kryštálu, lebo objem kvapaliny sa zmenšuje. Výsledný monokryštál je v tvare valca.
Epitaxia: Je narastanie monokryštalickej polovodičovej vrstvy na podložke. Výhodou je plynulo meniťeľná koncentrácia prímesí (a vytváranie PN priechodov). Homoepitaxiou deponujeme vrstvy rovnakého zloženia. Heteroepitaxiou rozdielneho zloženia. Dnes sa vo veľkej miere využívajú polovodiče vo forme vrstiev.Poznáme rôzne druhy epitaxií: Z plynnej fázy, z kvapalnej fázy, molekulárna epitaxia a grafoepitaxia.
● Príprava PN priechodu:
Zliatinová (legovacia): Presne odvážená pilulka dotovacieho materiálu sa položí na polovodičovú platničku, kde chceme PNp. Pri vyššej teplote sa zliatina roztopí a vrstva polovodiča sa rozpustí v zliatine – nastáva difúzia. Nasleduje chladnutie a vrstva opäť kryštalizuje. Na stanovenie hĺbky PNp je nutné poznať rozpustnosť polovodiča v inej látke.
Difúzna: Difúzia v pevnej fáze sa požíva najmä pri Si. Je tu potreba energetickej dotácie. Povrch substrátu vystavíme vysokej koncentrácii dopačných atómov v akomkoľvek skupenstve pri vysokej teplote. Preferovanou technikou je difúzia v otvorenej komore. Na substrát prúdi dopantný plyn. V evakuovanej komore sa pre prímesi As a Sb použiva substrát obrekaný inertným a dopačným plynom.
„Mesa“: Vznikla kombináciou difúznej a zliatinovej metódy, vývoj však vyústil do epitaxnej technológie. Takto vyrobené tranzistory majú podobu stolíka. Umožnika hromadnú výrobu tranzistorov.
Planárna: Typické je umiestnenie všetkých vývodov v jednej rovine. V Si doštičketypu N sa vytvorí vrstva izolačného laku, na ktorú sa nanesie fotorezist a priloží sa fotomaska. Vplyvom svetla sa fotorezist polamerizuje. Zamaskované časti ostávajú nespolymerizované. Nasleduje odleptanie nelakovanej vrstvy až po povrch Si. Do odkrytého polovodiča sa nechá nadifundovať P prímes. Celý proces sa opakuje. Nakoniec sa vyleptajú miesta pre kontakty emitora a bázy. Planárna a epitaxná technológia predstavuje základnú metódu pre sériovú výrobu el. súčiastok.
Iónová implantácia: Prímesové atómy sa do materiálu dostávajú formou prúdu iónov v vysokou energiou (MeV). Hĺbka vniknutia je 1 – 4 μm. Vylepšenie riadenia a presnosti. Lúč získavá potrebnú energiu aby prenikol do substrátu a zabudoval sa do mriežky. Nevyžaduje vysoké teploty. Nevýhodou je deštrukcia mriežky. Pre túto technológiu sa používajú vysoko jedovaté plyny (ako PF3).
- Hrubé vrstvy:
Za HV sa považujú vodivé, rezistorové a dielektrické vrstvy, kt. sú v podobe pást deponované na (keramický) substrát. Tvoria pasívnu časť el. obvodu. Hrúbka je 10 – 30 μm. Ako celok so zabudovanými súčiastkami tvorí hybridný integr. obvod – HIO.
● Sieťotlačová technológia: Pretláčanie sieťotlačovaj pasty na substrát cez voľné otvory obrazca. Faktory: - použité šablóny, sieťky, - materiál sieťoviny, - rýchlosť, tlak a smer stierky, - materiál pasty, viskozita, čistota a povrch substrátu.
Kvalita sieťoviny je principiálna charakteristika
Parametre sieťoviny: sieťovina sa vyrába napínaním vlákien polyesteru, nylonu alebo nerezu. Typ a parametre sieťoviny sa volia od: - pretláčaný materiál, - presnosť a ostrosť obrazca, - hrúbky sieťotlače, - veľkosti častíc pasty, - povrchu podložky.
Hrúbka pasty závisí od maskovacej emulzie, viskozity pasty, povrchu substrátu a techn. par. sieťoviny.: - počet vlákien na lin. dĺžke, - priemer vlákien, - parameter oka, - hrúbka sieťoviny, - napätie sieťoviny, - spôsob tkania sieťoviny
● Materiály, vlastnosti, spracovanie: Pasty delíme na cementové, polymérne a špeciálne a z pohľadu el. vlastností ich delíme na: - vodivé, - rezistorové, - dielektrické.
Pasty pozostávajú zo 4 zákl. zložiek: - funkčného materiálu (prášk. častice kovov, oxidov...), - rozpúšťadla al. riedidla, - permanentného spojiva (adhezivo voči substrátu), - dočasné spojivo (drží zložky pohromade odstraňuje sa oxidáciou pri výpale)
HV dielektrické materiály sa používajú pre: - kondenzátory, - premostenia, - glazúru, - puzdrenie
Sušenie: Prebieha pri teplotách 100 - 150°C. Po tomto je možné naniesť ďalšiu vrstvu, alebo vypáliť.
Výpal: Odstraňuje organické materiály z pasty. Zabezpečiť elektrické vlastnosti a adhéziu k substrátu. Trvá 1 hod s max. teplotou 850°C.
Trimovanie odporov: Tolerancia vypálených odporov je ± 20%, potrebných parametrov. Najčastejšie sa trimuje pieskovaním al. laserom.
● Keramické substráty: Najdôležitejšie sú nasledujúce parametre: - relatívna permitivita, - el. pevnosť, - stratový činiteľ, - merná tep. vodivosť, - koeficient teplotnej rozťažnosti, - vnútorný odpor.
Vlnový charakter elektrónu
L. de Broglie (1924) dospel spojením Einsteinovej a Planckovej rovnice k záveru, že podobne ako svetlo, aj pohybujúci sa elektrón má vlnový a časticový charakter a odvodil vzťah:
z toho upravením 1. Bohrovho postulátu dostávame vzťah:
z ktorého vyplýva, že elektrón sa môže pohybovať len po dráhach zodpovedajúcich celistvému násobku n vlnovej dĺžky l pohybujúceho sa elektrónu.
Vnútorná stavba kovov
Klasická elektrónová teória kovov popisuje ich elektrickú vodivosť na základe existencie voľne pohyblivých elektrónov, pohybujúcich sa chaoticky bez pôsobenia vonkajšieho elektrického poľa a usmernene pri jeho pôsobení, čím vzniká elektrický prúd. Pri zrážkach elektrónov s iónmi mriežky odovzdávajú časť získanej energie, čím sa zvyšujú tepelné kmity. Pohyb elektrónov môže byť brzdený aj mriežkovými poruchami. Pri teplote absolútnej nuly sa môžu elektróny najľahšie pohybovať, pretože neexistujú tepelné kmity iónov mriežky, teda stredná voľná dráha elektrónov je maximálna a elektrický odpor minimálny. Klasická teória však uvažovala s nulovou energiou elektrónov pri nulovej teplote.
Kvantová teória tieto rozpory objasňuje. Uvažuje voľný elektrón ľubovoľnej pohybovej energie, riadiaci sa zákonmi vlnovej mechaniky. Jeho energia odpovedá určitej kvantovej dráhe, je teda kvantovaná - nemôže prijímať alebo vydávať energiu spojite, ale po kvantách. Energia elektrónu, ktorý prešiel z jedného kvantového pásma s energiou W1 do pásma s energiou W2 je daná Einsteinovým vzťahom:
Energia najvyššej hladiny, obsadenej pri teplote absolútnej nuly sa nazýva Fermiho energia Wf. Aby elektrón mohol vystúpiť z kovu do vákua, potrebuje energiu značne väčšiu ako je Wf, výstupnú prácu. Pravdepodobnosť obsadzovania energetických hladín možno vypočítať pomocou Fermi - Diracovej rozdeľovacej funkcie. Všetky energetické hladiny s energiou W < Wf (Fermiho energia) sú obsadené elektrónmi a hladiny s energiou W > Wf sú prázdne. Fermiho energia Wf je teda najvyššou energiou, ktorú môže elektrón v kove pri teplote absolútnej nuly nadobudnúť. Pri nenulovej teplote dochádza k tepelnej excitácií elektrónov. Časť energetických hladín pod hodnotou Wf nie je celkom obsadená, lebo elektróny preskakujú na vyššie energetické hladiny. Pravdepodobnosť obsadenia hladiny W2 je rovná pravdepodobnosti neobsadenia hladiny W1.
Fermi - Diracova štatistika (FDš), resp. Fermi – Diracova rozdeľovacia funkcia charakterizuje štatistické rozdelenie častíc s neceločíselným spinom v jednotlivých pásmach:
Obr. 2.2 Fermi – Diracova funkcia, ktorá udáva pravdepodobnosť obsadenia energetických hladín pri rôznych teplotách
FDš f(W) hovorí o pravdepodobnosti obsadenia energetických hladín elektrónmi, pričom sa vychádza základného stavu kvantovo-mechanického systému. Tento stav je určený obsadením všetkých energetických stavov až po Fermiho energiu pri teplote absolútnej nuly. Pri nenulovej teplote sú obsadené aj energetické stavy nad Fermiho hladinou (t.j. systém je vo vzbudenom stave). Ak W = Wf bude pravdepodobnosť obsadenia 0,5 a to korešponduje s Fermiho energiou, s najvyššie obsadenou energetickou hladinou elektrónov v základnom stave pri teplote T = 0 K.
WF je Fermiho energia je hodnota energie, po ktorú sa obsadia stavy sústavy fermiónov pri teplote absolútnej nuly, vychádza z FDš (fermión - častica s polčíselným spinom, podriaďujúca sa FDš, napr. elektróny, protóny, neutróny).
V polovodičoch a izolantoch sa WF nachádza medzi valenčným a vodivostným pásmom, pričom jej poloha závisí od pomeru koncentrácie voľných elektrónov ku koncentrácii voľných dier. Pri ich rovnosti leží WF uprostred šírky zakázaného pásma. WF leží pri teplote absolútnej nuly, v polovodiči n medzi dolným okrajom vodivostného pásma a donorovou hladinou, resp. u polovodičov typu p medzi hornou hranicou valenčného pásma a akceptorovou hladinou.
V kovoch predstavuje Fermiho energia WF maximálnu energiu elektrónov pri teplote absolútnej nuly.
Fyzikálna podstata vodičov
Fyzikálna podstata vodivosti kovov vychádza z pásmovej štruktúry tuhej látky. Pásmová štruktúra tuhej látky poukazuje u vodičov na existenciu 2 možností: neúplne obsadené valenčné pásmo u alkalických kovov alebo prekrývanie vodivostného a valenčného pásma u dvojmocných kovov.
Na elektrickej vodivosti sa u kovov podieľajú vodivostné elektróny. Z tab. 2. 1 vyplýva, že Cu, Ag, Au majú iba 1 valenčný elektrón, Cd, Zn majú 2, Al má 3 valenčné elektróny. Počet valenčných elektrónov nie je určujúcim faktorom pre hodnotu merného elektrického odporu. Táto hodnota súvisí s mechanizmom elektrickej vodivosti.
Kryogénne médiá
Ako kryogénne média sa v elektronike používajú kvapalný dusík (bod varu -196°C), argón (bod varu -186°C) a kvapalné hélium (bod varu – 269°C) a kvapalný vodík (bod varu -253°C). Dusík a argón sa uchovávajú v kvapalnom stave v Dewarových nádobách a manipulácia s nimi je pomerne jednoduchá (dajú sa prelievať z nádoby do nádoby). Kvapalné hélium sa musí udržiavať v špeciálnych nádobách so superizoláciou.
U niektorých látok pri teplotách blízkych absolútnej nule odpor klesá nekontinuálne, skokom na hodnotu teoreticky aj prakticky nulovú. Podľa kvantovej mechaniky elektróny blízke Fermiho hladine, za podkritických teplôt prechádzajú do stavu s veľmi nízkou energiou.
Opíšte správanie sa materiálov v prostredí veľmi nízkych teplôt
a) Kovy a zliatiny kovov v prostredí veľmi nízkych teplôt nemenia svoje základné vlastnosti.
b) Sklo a keramika znášajú nízke teploty bez zmien vlastností, avšak vykazujú malú odolnosť voči náhlym zmenám teplôt. Táto vlastnosť súvisí s malou tepelnou vodivosťou a veľkým teplotným súčiniteľom dĺžkovej rozťažnosti. Manipulácia s nimi v prostredí nízkych teplôt súvisí aj s ich rozmermi.
c) Plasty znášajú veľmi nízke teploty zle. Dochádza k ich skrehnutiu, ktoré pri ohriati síce zmizne, ale pri opätovnom ochladzovaní dochádza najmä pri mechanickom namáhaní k ich deštrukcii. Na druhej strane znášajú veľmi dobre náhle zmeny teplôt. Táto vlastnosť sa používa pri hermetizácii a pri izolácii vodičov. Osobitnú pozornosť je potrebné venovať spojom plast – kov, pretože plasty majú o jeden rád väčšiu tepelnú rozťažnosť ako kovy. Pri nízkych teplotách klesá pružnosť plastov, čo môže v týchto spojoch vyvolať vznik trhlín.
Magneticky mäkké materiály
, ktorých Hc je menšie ako 800 Am-1 (určené pre prevádzku v striedavých magnetických poliach, prípadne v dynamických režimoch). Možno ich ľahko zmagnetovať aj odmagnetovať. Majú úzku hysteréznu slučku, malú koercivitu, vysokú hodnotu permaebility, vysokú indukciu nasýtenia a malé merné straty. Patria tu technicky čisté železo, elektrotechnické plechy, zliatiny s veľkou permeabilitou (zliatiny železa a niklu – permalloy, čisté železo), zliatiny s konštantnou permeabilitou (perminvar), zliatiny s vysokou indukciou nasýtenia (kremíkové ocele, zliatiny železa a kobaltu), zliatiny so špeciálnymi vlastnosťami, magneticky mäkké ferity (NiO - ZnO, MnO - ZnO, (Ni – Zn - M)O. Fe2O3, kde M je jeden z prvkov Cu, Mg, Mn, Pb a iné).
Patria tu:
- ocele - odporučené pre relé, meracie prístroje, elektromagnetické spojky a pod.
- zliatiny FeCo - vyznačujú sa maximálnou magnetickou indukciou, pripravuje sa aj s orientovanou štruktúrou. Zliatina má veľkú magnetostrikciu.
- kremíkové ocele - sú najrozšírenejšie v elektrotechnike, môžu izotropnú aj anizotrópnu štruktúru a používajú sa napríklad pre jadrá transformátorov, pre jadrá nízkofrekvenčných tlmiviek, pre elektrické stroje netočivé a točivé, pre prístroje, pre výrobu transformátorového plechu.
- magneticky mäkká zliatina NiFe sa podľa obsahu niklu vyznačuje:
a) 75 - 80 % Ni - najväčšími hodnotami počiatočnej a maximálnej permitivity, malou koercitivitou a malými hysteréznymi stratami, zliatina s prímesami Cu, Cr, Mo, Mn sa nazýva permalloye.
b) 50 % Ni - najväčšou indukciou zo všetkých zliatin.
c) 36 % Ni - zliatina s názvom invar má najmenší teplotný súčiniteľ dĺžkovej rozťažnosti.
d) 30 % Ni - má nízku Curieho teplotu.
e) zátavové magneticky mäkké zliatiny FeNi, ktoré sa používajú sa pre výrobu kontaktov, ktoré sa zatavujú do olovnatého skla.
f) zátavové magneticky polotvrdé zliatiny, ktoré sa používajú sa pre jazýčkové kontakty.
Magneticky tvrdé materiály
, pre ktoré Hc je väčšia ako 1 500 Am-1 (určené pre prevádzku v statickom režime). Tieto materiály sa neľahko zmagnetujú (hlavne premagnetujú), majú širokú hysteréznu slučku a málo strmý priebeh krivky prvotného magnetovania, veľkú koercivitu, veľkú remanenciu a veľký maximálny súčin (BH)m. Patria tu tvárne ocele a zliatiny, liate magnety, práškové kovové materiály, kysličníkové materiály (ferity)
Teória diamagnetizmu a paramagnetizmu
Tuhé látky sú paramagnetické vtedy, ak atómy alebo ióny nemajú celkom zaplnené vnútorné orbity. Príkladom sú paramagnetické alkalické kovy sodík, draslík alebo hliník a horčík.
Medzi diamagnetiká sa radia tuhé látky tvorené atómami s malým alebo nulovým paramagnetickým príspevkom valenčných či vodivostných elektrónov. Patria sem kryštály alkalických halogenidov (NaCl, KBr), organické látky, kovy Au, Ag, Cu a supravodiče.
13.6 Spontánny magnetizmus
Táto magnetizácia je daná spontánnym usporiadaním magnetických momentov jednotlivých atómov vo vnútri malých oblastí kryštálu, nazývaného domény. Podstatou vzniku tejto interakcie je existencia neúplne obsadených orbitálov a vhodná štruktúra, ktorá umožňuje interakciu spinov elektrónov na týchto orbitách. Proti orientujúcemu vplyvu výmenného poľa pôsobí tepelný pohyb a pri dostatočne vysokých teplotách, vyšších ako Curieho teplota Tc, spontánna magnetizácia zaniká, domény sa rozpadajú a látka prechádza do paramagnetického stavu.
13.10 Ferity
Vyznačujú sa kombináciou magnetických vlastností a veľkého elektrického odporu. Vstupnými materiálmi pri ich výrobe sú oxidy Fe2O3, MnO, NiO a ich výroba odpovedá keramickým technológiám, kedy sa postupne namiešajú namleté práškové suroviny, ktoré sa lisujú a vypaľujú. Používané sú pre jadrá vysokofrekvenčných cievok a transformátorov, pre výrobu keramických magnetov, na prenášanie veľkých výkonov u impulzných riadených zdrojov, u zváracích transformátorov a pod.
Patria tu magneticky mäkké ferity na báze Mn-Zn a Mg-Mn-Zn, ktoré sa využívajú najmä v telekomunikačnej technike (jadrá vychyľovacích cievok farebných obrazoviek, anténne tyče a pod.).
Magneticky tvrdé ferity sú oxidické materiály používajú sa pre veľmi výkonné motory, pre toroidné magnety pre reproduktory.
Medzi ferity so špeciálnymi vlastnosťami patria mikrovlnné ferity s granátovou štruktúrou, ferity s pravouhlou hysteréznou slučkou, magnetostrikčné ferity (pre rezonátory a detektory ultrazvukových vĺn) a hutné ferity (pre záznamové a čítacie hlavy)
13.11 Magnetické granáty
Magnetické granáty sú monokryštalické ferimagnetické látky s obsahom vzácnych zemín a galidu železa. Základným typom je ytritoželezitý (YIG) a galitoytritoželezitý granát (GaYIG). Používajú sa v mikrovlnnej technike.
13.12 Magnetické kompozity
Magnetické kompozity sú tvorené feromagnetickou alebo ferimagnetickou látkou s nosným médiom (roztoky prírodných alebo syntetických živíc) a používajú sa pre magnetické zámky, magnetické gumené tesnenia, pre membrány reproduktorov, magnety pre korekciu farieb farebných obrazoviek, magnetické spínače, magnetické laky a lepidlá, magneticky aktívne vrstvy magnetických pások a pod.
Fyzikálna podstata elektrických vlastností izolantov
Náboje elektricky nabitých častíc izolantov a dielektrík sú viazané na pevné miesta. Ideálny izolant je látka zložená výhradne z nábojov vzájomne viazaných elektrostatickými silami. Keďže neobsahuje voľne pohyblivé elektrické náboje, nemôže ňou pôsobením vonkajšieho elektrického poľa tiecť prúd, teda jej elektrická vodivosť je nulová a nevznikajú v nej dielektrické straty. Reálny izolant obsahuje malé množstvo voľných nábojov, Z hľadiska pásmovej teórie sa bude látka chovať ako izolant, ak všetky energetické hladiny najvyššieho valenčného pásma budú plne obsadené, energetický pás DWz zakázaných energií dostatočne široký (> 3eV) a energetický vodivostný pás prázdny.
Reálny izolant v plynnom, kvapalnom a tuhom stave charakterizujeme:
- relatívnou permitivitou er,
- elektrickou vodivosťou s ( elektrickou vodivosťou vnútornou sv a povrchovou ss),
- dielektrickými stratami tgd,
- elektrickou pevnosťou Ep.
Každý izolant je súčasne dielektrikom, avšak nie každé dielektrikum je izolantom. V dielektriku využívame polarizovateľnosť jeho kladných a záporných nábojov na zvýšenie kapacity elektród, medzi ktorými sa nachádza. Viazané náboje môžu tvoriť molekuly neutrálne (nepolárne) s úplne symetrickou stavbou, takže ich ťažiská splývajú a výsledné pole je nulové. Chemické väzby sú kovalentné, bez dipólového momentu. Pôsobením vonkajšieho poľa sa symetria nábojov poruší a ich ťažisko presunie. Nepolárna molekula vytvorí elektrický dipól a získa indukovaný elektrický moment. Patria sem H2, O2, Cl2, CH4, SF6. Molekuly dipólové (polárne) majú nesymetrickú stavbu a trvalý elektrický moment, vyplývajúci z povahy chemických väzieb a priestorového usporiadania atómov v molekulách, smerujúci od záporného náboja ku kladnému v smere spojníc ich ťažísk. Jeho absolútna hodnota m0 = e.l, kde l je polohový vektor kladného náboja vzhľadom k zápornému.
Dielektriká sa využívajú pre konštrukciu kondenzátorov a tiež ako elektro- luminiscenčné látky, piezoelementy, pamäťové prvky, zobrazovacie jednotky a sú základným funkčným materiálom mikroelektroniky a optoelektroniky. Izolanty sú súčasťou každého elektrotechnického zariadenia. Napr. feroelektriká (titaničitan bárnatý) sú vysoko dielektrické materiály so spontánnou nelineárnou polarizáciou závislou na intenzite elektrického poľa a s radom feroelektrických vlastností.
Izolanty sa charakterizujú triedou tepelnej odolnosti izolantu, ktorá klasifikuje tepelnú odolnosť izolantu z hľadiska maximálnej teploty,
Pamäte počítačov odolné proti výpadku napájania
Pamäte počítačov odolné proti výpadku napájania
sú materiály na báze feroelektrík, ktoré umožňujú vytvoriť feroelektrické kondenzátory priamo na čipe polovodičovej pamäte. Vhodným zapojením získame permanentnú pamäť, ktorá počas niekoľkých dní po vypnutí napájania si zachováva informácie.
Ak vonkajšie napätie U bude väčšie ako Uc, feroelektrikum prejde do nasýteného stavu charakterizovaného tým, že pri následnom vypnutí (U = 0) sa feroelektrikum bude nachádzať v jednom zo stabilných stavov s polarizáciou Ps. Tieto stavy odpovedajú logickej 1 resp. logickej 0.
Elektroforéza
sa líši od elektrolýzy (iónovej vodivosti) tým, že pri nej nenastávajú na elektródach chemické zmeny a vylučovanie látok, ale mení sa len pomerná koncentrácia koloidných častíc v rôznych vrstvách.
Elektrická vodivosť tuhých izolantov
Elektrickú vodivosť tuhých izolantov spôsobuje buď pohyb iónov vlastného izolantu alebo tiež ióny náhodných prímesí alebo prítomnosť voľných elektrónov.
Elektrická vodivosť tuhých izolantov môže byť vnútorná a povrchová Povrchovú elektrickú vodivosť zapríčiňuje voda adsorbovaná na povrchu. Voda sa najčastejšie adsorbuje na povrchu v dôsledku kondenzácie vodnej pary z vlhkého vzduchu. Elektrický prúd nepreteká izolantom, ale tenkou vrstvičkou vody adsorbovanej na povrchu.
Komplexná permitivita
Vlastnosti reálnych dielektrík pri striedavom napätí je účelné vyjadriť pomocou komplexnej permitivity.
Elektrická pevnosť
Elektrická pevnosť Ep je schopnosť izolantu zachovávať si izolačné vlastnosti v elektrickom poli. Je materiálovou charakteristikou, ktorú vyjadrujeme ako podiel prierazného napätia Up pri skúške elektrickej pevnosti a najkratšej vzdialenosti medzi elektródami d. Elektrické pevnosť je intenzita elektrického poľa Ep v dielektriku v okamihu prierazu
Elektrická pevnosť izolantov závisí od teploty, od homogenity elektrického poľa, od hrúbky izolantu d, času pôsobenia a od tvaru napäťovej krivky.
Plyny a zmesi plynov vysokej čistoty pre špeciálne použitie
Ich najväčšie množstvo sa spotrebuje pri výrobe integrovaných obvodov, plazmochemickom leptaní, iónovej implantácii. Patria tu aj nízkovriace kvapaliny používané pre prípravu epitaxných vrstiev kremíka. Ide najmä o vysokočistý tetrachlorid kremíka, trichlórsilán a dichlórsilán. Ich spoločnou vlastnosťou je chemická reaktivita, ktorá sa uplatňuje pri vysokej teplote alebo pri pôsobení elektrického poľa. Nosné plyny ako je argón, dusík alebo vodík sa na reakcii nezúčastňujú. Účinné zložky sa v styku s vyhriatym podkladom rozkladajú a podľa charakteru aktívnej zložky dochádza k žiaducej reakcii.
Plyny tejto skupiny rozdeľujeme na plyny pre leptanie, pre dotovanie, pre vytváranie vrstiev a pre iónovú implantáciu.
LEPTANIE: plynný chlorovodík a fluorovodík
DOTOVANIE: argón, dusík alebo vodík
Plyny pre iónovú implantáciu
Pre iónovú implantáciu vyhovujú zlúčeniny s nízkou ionizačnou energiou, ktoré obsahujú katióny donorového alebo akceptorového typu. Ide o fluoridy fosforu (PF3), arzénu (AsF3) alebo bóru (BF3, BF6). Tieto látky sú vysoko reaktívne a jedovaté. Dodávajú sa stlačené v oceľových fľašiach. Plyny sa vpúšťajú do zariadenie pre iónovú implantáciu za podtlaku, privedú sa do ionizovaného stavu a ich katióny získajú takú rýchlosť, aby vnikli do pod povrch kremíkovej doštičky, ktorá má teplotu okolia. Tým sa vnesie do substrátu určené množstvo prímesí. Nasleduje difúzia pri teplote okolo 600°C do vhodných miest mriežky.
Voda v elektronike
Voda sa používa pri výrobe mikroelektronických súčiastok (čipov), pri výrobe obrazoviek, pri umývaní dosiek plošných spojov po spájkovaní a pod. Používa sa vysokočistá deionizovaná voda s rezistivitou nad 10 MW.
Kvapalné izolanty:
destilovana voda, parafinické a naftenické oleje, transformátorový olej a olej káblový
synteticky pripravovane:
Polybutény (náplň potrubných káblov, impregnanty), chlórované aromatické uhľovodíky (sú však karcinogénne a preto ich používanie je v súčasnosti zakázané), a silikónové oleje (drahé)
Odmasťovacie a rozpúšťacie kvapaliny
· Chlórované uhľovodíky ako trichlóretylén a perchlóretylén, ktoré umožňujú odmasťovanie nielen za studena, ale aj za horúca, ale najčastejšie v kondenzovaných parách rozpúšťadla. Sú však zdravotne škodlivé a na povrchu zanechávajú stopy chloridových iónov.
· Chlórfluorované uhľovodíky, najmä trichlórtrifluóretán (TTE – obchodné názvy: Freon, Ledon, Fridge, a pod.) a jeho zmesi, ktoré sú najdokonalejšími rozpúšťadlami. Je zdravotne neškodlivý a rozpúšťa aj silikónové oleje a tiež nerozpúšťa plasty. Jeho nevýhodou je, že spôsobuje zmenšovanie ozónovej vrstvy, a preto sa jeho používanie v mikroelektronike obmedzuje.
· Organické horľavé rozpúšťadlá ako toluén, xylén, metanol (posledné opláchnutie pred sušením), etanol, izobutanol a acetón (posledné opláchnutie pred sušením).
Prírodné oleje
Do skupiny prírodných olejov patria minerálne oleje, vyrábané destiláciou z ropy, a tiež rastlinné a živočíšne oleje. V technickej praxi sa v súčasnosti používajú takmer výhradne oleje minerálne, medzi ktoré patria oleje mazacie a konzervačné oleje, oleje kondenzátorové, spájkovacie oleje, oleje pre pohon difúznych vývev a mazadlá pre zábrusy vysokovákuových zariadení. Všeobecne majú oleje relatívnu permitivitu okolo 2,5, ktorá sa mení s teplotou a frekvenciou len málo. Sú teda stabilné, avšak najmä vplyvom kyslíka rýchlo starnú.
Mazacie a konzervačné oleje, Oleje kondenzátorové Spájkovacie oleje Oleje pre pohon difúznych vývev Mazadlá pre zábrusy vysokovákuových zariadení
Kvapalné kryštály
predstavujú osobitný druh kvapalín, ktoré sa v určitom intervale teplôt vyznačujú určitou usporiadanosťou a v dôsledku toho anizotrópiou. Sú charakteristické tým, že pri zahrievaní kvapalného kryštálu v pevnej fáze sa dosiahne bod tavenia, pri ktorom sa mliečne zakalená látka zmení na anizotrópnu kvapalinu a len ďalším zahrievaním sa dosiahne bod vyjasnenia, nad ktorým má látka charakter izotrópnej kvapaliny. Štruktúra na rozhraní kvapalnej a tuhej fázy so snahou udržať si pravidelné usporiadanie kryštálovej štruktúry sa nazýva mezomorfná štruktúra. V elektronike sa používajú v širokom meradle hlavne pri výrobe pasívnych zobrazovacích jednotiek.
1.Základy atómovej teórie:
● Rutherfordov model atómu: Príťažlivá elektrostatická sila medzi elektrónmi a jadrom je kompenzovaná odstredivou silou. Predstava je v rozpore s klasickými zákonmi elektrodinymiky. Atómy majú stále čiarové spektrá.
● Kvantová teória: Pri pozorovaní absolútne čierneho telesa prišiel Planck na to že energia nie je vyžarovaná a pohlcovaná spojite, ale po kvantách. Kvantum je celistvý násobok elementárneho kvanta: W = h.f. Planckova konštanta je h = 6,626.10-34 Js. f je frekvencia žiarenia. Teória vysvetľuje Einsteinov fotoelektrický jav. Predpokladá, že svetlo je zložené z fotónov, ktoré sa pohybujú rýchlosťou svetla. Po dopadnutí na kov odovzdajú energiu elektrónom. Jeden fotón uvoľní jeden elektrón.
● Elektrónová teória: Vlastnosti atómov sú charakterizované Bohrovými postulátmi, Pauliho vylučovacím princípom, pravidlom maximálnej multiplicity a kvantovými číslami. Vlna a častica sú len 2 formy tej istej fyzikálnej reality. Častica, alebo kvantum svetla sa nazývajú fotóny. . Pohyb elektrónu je opísaný vlnovou funkciuo (de Broglieho vlnou) ψ. Vlnová funkcia je funkcia priestorových súradníc elektrónu a štvorec ψ2 je pravdepodobnosť, že elektrón sa nachádza v danom priestore. Elektrón je elementárna častica, ktorá obieha okolo jadra po kvantových dráhach a má záporný náboj (1e- = 1,602.10-19).
● Bohrove postuláty:
1) Elektrón sa pohybuje po kruhovej dráhe určujúcej kvantovú podmienku: m.v.r = n.(h/2π);
2) Každá kvantová dráha predstavuje určitý stacionárny stav elektrónu v atóme, ktorý char. č. n.
Jednotlivé stavy sa odlišujú obsahom energie
3)Vyžarovanie alebo pohlcovanie energie sa uskutočňuje len pri prechode medzi kvantovými dráhami. Prechod elektrónu medzi energetickými stavmi sa uskutočňuje po kvantách
● Kvantové čísla:
Hlavné kvantové číslo n: označuje elektróny jednej vrstvy. Označujeme ich K, L, M, N, O , P, Q (n = 1...7). Max. počet elektrónov na 1 vrstve je 2n2
Vedľajšie kvantové číslo l: charakterizuje elektróny líšiace sa energiou v rámci vrstvy – orbitály a tiež moment hybnosti elektrónu. Orbitály označujeme s, p, d, f, g, h. Každá vrstva má konšt. Počet orbitálov. Orbitál predstavuje objemový element priestoru, v ktorom sa pravdepodobne vyskytuje častica v danom momente. Orbitály s takmer rovnakou energiou tvoria vrstvy. (l = 0, 1 ... n-1)
Magnetické kvantové číslo m: určuje projekciu dráhového magnetického momentu do predpísaného smeru. Daný orbitál sa teda štiepi na (2.l + 1) skupín. Umiestnením atómu do silného magnetického poľa sa štiepia spektrálne čiary, pretože elektróny sa líšia obsahom energie. (m = -l,..-1,0,1,...l)
Spinové kvantové číslo s: rozlišuje kvantový smer rotácie elektrónu okolo svojej osi – spinu. (s = ±0,5)
● Pauliho vylučovací princíp: V atóme nemôžu existovať 2 elektróny s rovnakými kvantovými číslami. Maximálny počet elektrónov v orbitále je 2.(l+1) vo vrstve 2n2.
● Hundovo pravidlo: Elektróny obsadzujú orbitály tak, aby pred ich spinovým párovaním bolo na orbitáloch daného typu čo najviac elektrónov s rôznym magnetickým číslom.
2.Kryštály:
● Poruchy kryštálovej mriežky:
Bodové poruchy: Vakancie (prázdne miesta): vplyvom vysokej teploty. Interstície (atómy v medziuzlovej ploche). Substitúcie (cudzí atóm na mieste základného). Súvisia s čistotou a chem. zložením materiálu. Vakancie a interstície zvyšujú elektrický odpor.
Čiarové poruchy: Dislokácie sú charakterizované geometr. a energetickými faktormi. Rozlišujeme dislokácie hranové a skrutkové. Pohyb dislokácii sklzom umožňuje plastickú deformáciu a pohyb šplhom umožňuje difúziu.
Plošné poruchy: Vrstevná chyba môže vzniknúť sklzom, vybratím 1 atómovej roviny a vložením 1 atómovej roviny. Iným typom je mozaika zŕn.
V iónovom kryštále:
Frenkelova porucha: Súčasný výskyt (+) iónu v intersticiálnej polohe a vakancie na mieste (+) iónu.
Schottkyho porucha: Súčasný výskyt vakancie na mieste (+) aj na mieste (-) iónu. Výskyt je v hustých mriežkach. Tieto porucha uľahčujú prenos častíc, čím podp. difúziu, el. a tep. vodivosť.
● Chemické väzby: Závisia od vonkajšieho el. obalu. El. sú usporiadané tak aby ich celková en. Bola čo najmenšia a stabilita čo najväčšia.
Iónová: Elektrostatická príťažlivá sila medzi kladne a záporne nabitými iónmi. Je typická pre izolanty.
Kovalentná: Je tvorená dvojicami el. spoločnými pre oba atómy. Je typická pre polovodiče. Môže byť polárna, alebo nepolárna.
Kovová: Je väzba medzi katiónmi a el. prvkov s malým počtom val. el., kt. sú slabo viazané k jadru. Podmienkou je tesné usporiadanie atómov v mriežke. Materiály majú dobrú tepelnú a el. vodivosť a nie sú priesvitné. Je typická pre kovy.
● Pásmová teória: Elektróny môžu svoju en. zväčšovať len v skokoch (nie spojite). Hladiny dovolených en. sú oddelené hladinami zakázaných energií. En. hladiny sa štiepia a vytvárajú en. pásma.
Vnútorné: Nemá vplyv na prenos náboja
Vonkajšie (valenčné): sústava en. hladín, kt. el. vytvárajú chem. väzby. V izolantoch a polovodičoch je to najvyššie zaplnené pásmo. Vo vodičoch je neúplne zaplnené splýva s vodivostným pásmom. Horná en. hladina valenčného p. je ozn. ako Wv.
Zakázané: Oblasť energií, kt el. nemôžu nadobudnúť. Je medzi val. a vodiv. pásmom. El. z val. pásma nemôže prejsť do vodivost. Ak namá vyššiu en. ako je širka zakázaného pásma. Táto šírka je materiálovo konštantná. Jeho šírka je označená ako ΔWz.
Vodivostné: En. pásma v kt. sú el. uvoľnené z chem. väzieb. Je to čiastočne zaplnené pásmo vo vodičoch a vôbec nezaplnené u polovodičov a izolantov pri T=0K. Dolná hladina je ozn. ako Wc.
● Kvapalné kryštály: Kvapalné látky, ktoré sa v určitom intervale teplôtvyznačujú určitou usporiadanosťou → anizotropiou. V pevnej fáze sa zahrievaním premenia na mliečne zakalenú kvapalnú látku a ďalším zahrievaním sa kvapalina vyjasní → izotrópna kvapalina.Mezomorfná štruktúra je taká ktorá sa snaží si na rozhraní kvapalnej a tuhej látky udržať pravidelné usporiadanie.
Smektická štruktúra: jednotlivé molekuly sú zoradené tak, že majú rovnobežné osi a v rovinách, pravidelne. Ešte nenašla využitie.
Nematická štruktúra: molekuly majú rovnobežné osi. Má elektrooptické vlastnosti – zmenou el. poľa dosiahneme zmenu opt. vlastností. Našla široké uplatnenie. (Zvláštnym druhom nem. štr. Je cholesterická štruktúra – zmena tepla – rozptyl svetla – inej teplote odpovedá iná farba).
LCD (Liquid Crystal Dysplay): Vypĺňa ho kvap. kryštál. Pracuje na princípe zmeny natočenia kryštálov pri pôsobení elektrostat. poľa. Na budenie sa používa striedavé napätie. Pre farebný obraz sa aplikujú farebné filtre.
3.Vodiče:
● Fermi – Diracova štatistika: (Fermi – Diracova rozdeľovacia funkcia) hovorí o pravdepodobnosti obsadenia enrget. hladín elektrónmi. Až po fermiho hladinu pri absolútnej 0. Pri vyššej teplote, elektróny obsadzujú aj hladiny nad femiho hladinou. Wf je fermiho energia. V polovodičoch a izolantoch je Wf medzi valenčným a vodivostným pásmom. Leží v strede šírky zakázaného pásma. V kovoch predstavuje Wf max. energiu elektrónov pri teplote abs. 0.
● Termoelektrické vlast. kovov: Vodivým spojením 2 kovov vzniká el. potenciál. Dochádza k tunelovému priechodu el. a vyrovnaniu ich Fermiho hladín. Uzavretím okruhu a uvedením koncov na rozličné teploty potečie prúd v dôsl. termoel. napätia (vznikn. z kontaktového a objemového). Objemové vzniká difúziou voľných nosičov náboja z vyššej do nižšej konc. Termoel. jav sa využíva k meraniu teploty.
● Magnetické vlast. kovov: Sú dané výsledným magnetickým momentom atómov, zloženým z dráhových momentov (DM) a spinových momentov (SM).
Diamagnetické: DM a SM sú vykompenzované. Výsledný magn. Moment je 0. Vložením do magn. poľa sa dráha el.deformujú. Indukuje sa magn. moment oslabujúci vonk. magn. pole. Magnetická susceptibilita κ je záporná a veľmi malá (-10-5).Patria sem inertné plyny, organické látky a H, Cu, Ag,
Be, C, Si...
Paramagnetické: SM sú vykompenzované, moment je daný nevykompenzovanými DM el., kt. sú neusporiadané kým na ne nepôsobí vonk. magn. pole. Magn. momenty sa orientujú do jeho smeru a zosilňujú ho. Κ je vždy kladná (10-5 – 10-2), Relat. permeabilita μr>1. Patrí sem kyslík, niektoré ogidy, Al, Cu, Mg, W...
Feromagnetické: DM sú takmer vykompenzované, výsledný magn. moment je daný SM el. V určitých oblastiach vznikajú domény – látka je zmagnetizovaná do nasýtenia bez účinku vonk. magn. poľa. Po prekročení (Currieho) feromagn. Teploty sa látka stáva paramagnetikom. Ľahko sa zmagnetizuje aj v slabom magn. poli a magnetizácia ostáva zachovaná. κ aj μr sú vysoké (106), silne závislé od teploty a intenzity magn. poľa. Patria sem Fe, Co, Ni a ich zliatiny.
Antiferomagnetické: S anti paralelne orientovanými SM. κ rádovo ako u paramagnetík. Pri currieho teplote dochádza k porušeniu antiparalelných spinov. Patria sem oxidy, sírniky, chloridy Mn, Cr, Fe, Co, Ni...
Ferimagnetické: sú zvláštnym prípadom antiferomagnetík. Momenty nie sú rovnaké a nekompenzujú sa – prejavujú rozdielový magnetický moment. Patria sem ferity.
● Faktory ovplyvňujúce vodivosť vodičov:
Pohyblivosť u: Súvisí s teplotou, tepelnými kmitmi a poruchami kryšt. Mriežky. Je def. ako rýchlosť elektrónov v vztiahnutá k intenzite el poľa E (u=v/E).
Teplota T: S rastom teploty rastie odpor materiálu. Nad Debeyovou teplotou – 100K rastie rezistivita lineárne s teplotou. Pomer el. a tepelnej vodivosti je podobný pre vš. kovy. Súvis el. a tep. vl. kovov je char. Wiedemann-Franzovým zákonom.
Rezistivita ρ: [ρ]=Ω.m. Udáva čís. Odpor napr vodiča dl. 1 m s prierezom 1 m2 a pri teplote 20° C. Vodiče majú rez. Od 10-2 do 101 μΩm. Teplotný súčiniteľ odporu αR: udáva číselne o akú hodnotu sa zmení odpor vodiča 1Ω ak sa zvýši jeho teplota o 1°C. Môže myť kl. al. záp. Rezistivita klesá na 0 pri kritickej teplote - supravodiče
Tlak p: Pri väčšine kovov klesá rezistivita s rastúcim tlakom.
Prímesi: Rezistivita rastie s rastúcim obsahom nečistôt. Akákoľvek cudzia látka alebo porucha sťaží prechod el.prúdu → vyššia rezistivita. Zliatiny majú menšiu konduktivitu → s rastúcou čistotou, rastie konduktivita
Usporiadanosť: Rezistivita, rastie s rastúcou neusporiadanosťou. Rezistivita sa zníži žíhaním, poklesne neusporiadanosť mriežky.
Deformácia za studena: Do mriežky sa zavádzajú poruchy → zvyšuje sa vnútorné napatie aj rezistivita.
4.Neželezné kovy a ich zliatiny vo výrobe a v praxi:
● Meď: Je načervenalý kov, dobre tvárniteľný. Má vynikajúcu vodivosť. Tieto vlastnosti klesajú obsahom nečistôt. Je odolná voči korózii. Ľahko sa odplyňuje. Nehodí sa na stavovanie so sklami. Krehne vplyvom „vodíkovej nemoci“.
Používa sa ako vodič pre el. energiu vzdušným vedením, alebo ako vodivé jadro káblov. V porovnaní s hliníkom je dosť drahá a preto sa ním nahradzuje. Drôty sú chránené kaučukovou izoláciou a cínovým povlakom. Dobre sa spájkuje pri nízkych teplotách. Používa sa vo forme fólií pri výrobe
plošných spojov. Vyrába sa valcovaním, alebo galvanickým vylučovaním na katóde.
Pre výrobu vodičov sa používa meď elektrovodná – ECu. Meď s potlačeným obsahom kyslíka – Cu – OFHC (Oxygen Free High Conductivity) – netrpí vodíkovou nemocou. Vysokočistá meď (99,999%) sa používa na výrobu (nosníkov) targetov, mikrodrôtov...
Zliatiny: mosadze, bronzy (CuSn), CuCo, CuFe...
● Hliník: Je biely, striebrolesklý mäkky kov. Na vzduchu sa pokrýva sivobielym povlakom. Má veľmi malú hustotu. Má malú mechanickú pevnosť – dá sa zvýšiť (mikro)legovaním. Pomerne dobre odoláva kyselinám a zásadám.
Využíval sa pri výrobe zbraní, neskôr v letectve. Jeho el. vodivosť je asi 65% medi. Je 3tím najl. vodičom za Ag a Cu. Využívajú sa aj dielektrické vlastn. oxidu. Vo forme povlakov sa používa ako reflektor žiarenia v obrazovkách.
5.Supravodiče:
Supravodivosť je pokles rezistivity niektorých kovov a zliatin pri teplote blízkej abs. 0.U niektorých materiálov poklesne rezist. Aj 16x oproti izbovej teplote. Tento jav bol objavený na ortuti a v súčasnosti existuje len 27 prvkov a asi 1500 zliatin u ktorých bol jav SV objavený. Zatial sa nepotvrdil u ušťachtilých ani alkalických prvkov.
Supravodivý jav je považovaný za samostatný jav materiálu s vyšším stupňom poriadku, ak sa entrópia rovná 0. Je to vratný stav.
SV stav nastane ak sú splnené 3 podmienky:
● Tepolota SV je nižšia ako kritická teplota Tk
● Intenzita magnetického poľa je nižšia ako kritická intenzita Hk
● Hustota prúdu je nižšia ako kritická hustota Jk
Použitie: na prenos el. energie pri 100% účinnosti, ako trecie ložiská, vo vysokomagn. Solenoidich, na zníženie Joulových strát v jadrách – prenos veľmi veľkých výkonov, súčiastky do veľmi rýchlych počítačov, v oblasti digitálnej techniky (Josephsonova tunelujúca štruktúra)...
6.Elektrické vlastnosti izolantov a dielektrík:
● Izolanty a dielektriká: Izolanty sú látky s veľkým odporom elektrického prúdu. Dielektriká majú schopnosť hromadiť el. energiu napr. v kondenzátoroch. Ich hlavným parametrom je relatívna permitivita. Využívajú sa na izoláciu vodivých telies. Je zložená z nábojov vzájomne viazaných elektrostat. silami. Neobsahuje žiadne alebo veľmi málo voľne pohyblivých el. nábojov. Vodivosť izolantov je σ<10-8 Sm-1. Zakázané pásmo je široké až 3eV a viac. Izolant sa char. ● Relatívnou premitivitou εr ● elektrickou vodivosťou σ (vnútorná σv a povrchová σ) ● dielektrickými stratami tgδ ● elektrickou pevnosťou Ep. Každý izolant je aj dielektrikom, nie každé dielektrikum je aj izolantom. Izolanty sa charakterizujú aj triedou tepelnej odolnosti, ktorá klas. Izolant z hľadiska max. teploty pri ktorej vykazuje optimálnu životnosť. Existuje 7 teplotných tried (Y, A, E, B, F, H, C);
● Polarizácia dielektrika: Je proces, pri ktorom dochádza k narušeniu symetrie el. nábojov. Následkom toho sa vytvárajú el. dipóly a každý má svoj dipólový moment. Dochádza k vysúvaniu el. nábojov z rovnovážnych polôh. Dipólové molekuly sa orientujú v smere poľa. Polarizovateľnoť je základná vlastnosť dielektrík. Polarizácia z makroskop. hľadiska: pozeráme sa na ňu ako na pomer dipólového momentu a objemu izolantu.. Tento pomer vzniká ako výsledok exist. obrovského počtu dipól.
Momentov. Polarizácia z mikroskop. hľadiska: Pozeráme sa na ňu ako na pružné posunutie viazaného náboja v smere (-) alebo proti smeru (+) el. poľa. Druhy polarizácie dielektrík:
Pružná elektrónová a iónová: rýchly priebeh, veľmi krátka doba trvania (10-12 – 10-15 s), bez strát energie. Spočíva v posuve kladných a záporných nábojov opačnými smermi.
Relaxačná dipólová a iónová: pomalý priebeh, chaotické tepelné pohyby častíc sú usmernené, vzniká nesymetrické rozloženie nábojov, vzrast dipólového momentu. Relaxačný čas τ (10-2 – 10-10 s) – interval za ktorý po odpojení el. poľa polarizácia klesne na 37%.
Medzivrstvová (migračná): vznik indukovaného dipólového momentu na makroskopické vzdialenosti v dôsledku rôznej pohyblivosti voľných nábojov. Je typická pre nehomogénne dielektriká (viacvrstvové izolanty) a má nelineárny char. Doba ustálenia je 10-3 – 10-7 s.
Spontánna (samovoľná): orientácia spontánne vytvorených el. momentov do smeru intenzity vonk. poľa. Je typická pre feroelektriká. Závisí od frekvencie, nad Currieho teplotou zaniká.
Rezonančná: súvisí s vlastnou frekvenciou kmitania elektrónov. Môže byť elektrónová al. iónová. Vyskytuje sa pri viditeľnom svetle a je dôležitá pre spektrálnu analýzu.
● Relatívna permitivita: Charakterizuje vplyv elektrického poľa na elektrický stav dielektrika. Patrí k najdôležitejším charakteristikám. Je merítkom polarizácie. Je to bezrozmerná veličina. Závisí od: - charakteru polarizačných procesov, - teploty, - frekvencie. V niektorých prípadoch je evidentný aj vplyv el. poľa.
● Závislosti permitivity:
Permitivita plynných izolantov: U plynov sú vzdialenosti molekúl veľmi veľké a ich vzájomné pôsobenie môžeme zanedbať. εr je väčšie alebo približne rovné 1. Polarizácia môže byť len elektrónová a dipólová. εr je tým väčšia, čím väčší je polomer molekuly.
Permitivita kvapalných izolantov:
U nepolárnych kvapalných izolantov sa εr pohybuje od 1,8 do 2 (2,5). εr nezávisí od frekvencie. Polarizovateľnosť molekúl je tepl. nezávislá. Platí tu Clausius – Mossottiho rovnica – v dôsledku tepl.rozťažnostisa mení v jednotke objemu počet dipólových momentov. (s. 63; obr. 5.4, 5.5)
Dipólové kvapalné izolanty majú elektrónovú a dipólovú polar. Ich εr je tým väčšia, čím rýchlejšie sa molekuly pohybujú. Pri veľmi nízkych teplotách sa molekuly nemôžu otáčať. So stúpajúcou teplotou sa podmienky zlepšujú. Permitivita je závislá aj od frekvencie. (s. 63; obr. 5.6, 5.7)
Permitivita tuhých izolantov:
U nepolárnych tuhých látok sa pohybuje εr od 2 do 2,2. Vyskytuje sa iba elektrónová polarizácia. Závislosti na teplote a frekvencii sú rovnaké ako v nepol. kvapal. izolantoch. Môže sa uplatniť aj migračná.
V dipólových tuhých izolantoch sa vyskytuje elektrónová a dipólová polarizácia. Závislosť permitivity je rovnaká ako u kvapalných dipólových izolantoch. Môže sa pridružiť aj migračná polar.
V iónových kryštalických látkach sa vyskytuje elektrónová a iónová pružná polarizácia. Pružné ióny sledujú frekvenciu až do 1012 Hz. Pri technickej frekvencii je nezávislá. Permitivita je závislá aj od teploty. (s. 64; obr. 5.8, 5.9)
V iónových sklovitých látkach sa vyskytuje elektrónová, iónová relaxačná a pružná polarizácia. Teplotná a frekvenčná závislosť je rovnaká ako u kvapalných dipólových izolantov.
Vo feroelektrikách sa vyskytuje elektrónová, iónová pružná a spontánna polarizácia. Závislosť polarizácie od int. el. poľa je nelineárna. Pohybuje sa po hysteréznej slučke. Frekvenčná závislosť je ako pri kvapalných dipólových izolantoch. Teplotná závislosť je permitivita so vzrastom teploty hyperbolicky klesá → Curieho teplota. (s. 65; obr. 5.10, 5.11; s. 66; obr. 5.13, 5.14)
U slabo polárnych tuhých látok sa εr pohybuje od 2,2 do 3 a u polárnych od 3 do niekoľko 100 alebo 1000.
● Dielektrické straty: Po vložení dielektrika do el. poľa sa určitá časť energie premieňa na teplo. S výnimkou el. ohrevu sú tieto straty nežiaduce. V jednosmernom poli su dielektr. straty spôs. vodivosťou mat. Diel. Straty môžeme rozdeliť na: - vodivostné, - polarizačné, – ionizačné. Celkové straty sú súčtom vš. 3 strát. Vyskytujú sa vo vš. izolantoch. Stratový uhol δ je doplnok k 90° k uhlu fáz. posunu φ, ktorým prúd predbieha napätie. Stratové číslo (bezrozmerné): εrtgδ – char. kvalitu izolantu. Činiteľ dielektrických strát tgδ je bezrozmerná veličina.
V plynných izolantoch: sú zapríčinené ich el. vodivosťou. Vodivostná zložka strát nie je rozhodujúca. Vodivosť plynov je frekvenčne nezávislá a tgδ s rastúcou frekvenciou hyperbolicky klesá. Teplotná závislosť závisí od vodivosti a εr. (s. 69; obr. 5.16)
V kvapalných izolantoch:
V nepolárnych kvapalných izolantoch sa vyskytuje iba elektrónová polarizácia a v oblasti elektrotechn. frekvencií je bezstratová. Vyskytujú sa tu iba vodivostné dielektr. straty. Elektrická vodivosť izolantov s teplotou exponenciálne rastiem rastie aj tgδ exponenciálne s teplotou. So vzrastom frekvencie tgδ klesá. (s. 69; obr. 5.17, 5.18)
V dipólových kvapalných izolantoch okrem elektrónovej, sa môže uplatniť aj dipólová polarizácia. Vyskytujú sa vodivostné aj polarizačné straty. Závislosť tgδ je rovnaký ako u nepolárnych kvap. izolantov. (s. 70; obr. 5.19, 5.20, 5.21)
V tuhých izolantoch: môžu sa uplatňovať vodivostné (vo všetkých), polarizačné (v ktorých sa vyskyt. Stratové polarizácie) a ionizačné (v ktorých sú vzduchové bublinky) dielektrické straty.
V nepolárnych tuhých izolantoch sa vyskytuje iba elektrónová polarizácia a uplatňujú sa iba vodivostné diel. straty. Závislosť tgδ je rovnaká ako unepolárnych kvap. izolantoch.
V dipólových tuhých izolantoch sa uplatň. el. a dipól. polarizácia. Závislosť je rovnaká ako u nepolárnych tuhých izolantov, ale sú o niečo menej výrazné.
V iónových kryštalických izolantoch sa uplatňuje el. a iónová pružná polarizácia. V oblasti elektro. frekvencií sú bezstratové. Závislosti tgδ od teploty a frekvencie sú rovnaké ako u nepolárnych tuhých izolantov.
V iónových sklovitých látkach sa vyskytuje el. a iónová relaxačná polarizácia. Existujú v nich vodivostné a polarizačné dielektrické straty. Závislosť tgδ od frekvencie je rovnaká ako u dipólových tuhých izolantov. V závislosť od teploty sa nepozoruje maximum, pretože tgδ exponenciálne rastie s teplotou.
Feroelektriká sa vyznačujú elektrónovou, iónovou pružnou a spontánnou polarizáciou. Spontánna polar. je spojená so značnými dielektr. stratami. Vyskytujú sa tu vodivostné aj polarizačné straty. Vodovostná zložka je podobná ako u nepolárnych tuhých izolantov. Polarizačná zložka tgδ teplotnej a frekvenčnej závislosti jasne vyjadruje svoje maximá. Nad Curieho teplotou sa vo feroelektrikách
vyskyt. Iba vodivostné dielektr. straty, lebo spontánna polar. zaniká.
● Elektrická pevnosť izolantov: Existujú 2 štádia prierazu:
1. štádium prierazu: náhly vzrast vodivosti izolantu → koncentrácia nosičov nábojov → sôs. El. poľom. Ide o prieraz:
Čiste elektrický: procesy elektrónovej povahy (náraz. ioniz., tunel. elektr.)
Elektrotepelný: procesy tepelnej povahy
2. štádium prierazu: degradačné účinky (dočasné u plynov, kvapalín, trvalé u tuhých izolantov)
Prieraz: úplný výboj tuhého izolantu, pokles napätia a nevratne zhoršené vlastnosti. Blesk je čisto el. prierazom. Tepelný prieraz nastáva ak dôjde k tepelnoelektrickej nerovnováhe.
Preskok: je úplný výboj v plynnom, ale kvapalnom prostredí → pokles napätia na elektródach
Koróna: čiastkové výboje v miestach najsilnejšieho el. poľa.
Iskra: krátkodobý výboj, v plynoch
Sršanie: čiastkové výboje v tvare trsov → slabý praskot
7.Plyny:
● Elektronegatívne plyny: Majú vo svojich molekulách F al. Cl a vyznačujú sa veľkou el. pevnosťou, nehorľavosťou a chem. stálosťou. Používajú sa najmä v stlačenom stave. Ich molekuly majú schopnosť zachytávať voľné el. Najviac používaným plynom je Elgaz – SF6. Je 5x ťažší ako vzduch, nehorľavý do 200°C. Používa sa ako izolačné a chladiace médium v suchých transformátoroch.
● Inertné plyny: Patria sem He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rn. Sú to nereaktívne plyny, kt. sa vyrábajú frakčnou destiláciou skvapalneného vzduchu. Hélium zo zemského plynu. Sú bezfarebné, bez chuti a bez zápachu. Tvoria 1-atómové molekuly. Ich vlastnosti sa plynulo menia od He až po Xe. Rastie ich hustota, bod varu, klesá merná tep. kapacita. Xe a Kr sa používajú len málo, pre ich vysokú cenu. Použ. pri výrobe svetelných zdrojov.
Argón: Je najviac používaným vzácnym plynom. Vo vzduchu sa ho vyskytuje menej ako 1%. Teplota varu je -185°C. Je nekorozívny, nehorľavý, netoxický. Je ľahko skavapalniťeľný. Používa sa pri výrobe monokryštálov (Czochralského metóda). Pri (oblúkovom) zváraní, spájkovaní...
Hélium: Je druhým najľahším prvkom. Bod varu je -268,9°C. Hélium je jediným prvkom, kt. je kvapalný aj pri abs. 0. Vo vzduchu sa vyskytuje v mn. 0,005%. Získava sa najmä z ropy a zem. plynu. Plnia sa ním balóny, používa sa v letectve, v zmesi s kyslíkom ako plyn pre potápačov, v supravodičových magnetoch...
8.Polovodiče:
Tvoria článok medzi el. vodivými a el. nevodivými látkami. Zahrňujeme tu vysokočisté prvky a zliatiny s polovodivými vlastnosťami. Majú zaručenú šírku zakázaného pásma.
● Vlastný polovodič: Nazýva sa intrizický. Neobsahuje žiadne poruchy v kryšt. mriežke. Ideálny monokryštál ma kovalentné väzby a diamantovú štruktúru. Pri vyššej teplote sa elektróny uvoľnia →
el. preskočil z valenčného do vodivostného pásma. Je pravdepodobné že na voľné miesto preskočí iný elektrón. Prázdne miesto sa javí ako kladne nabité, ale kryštál ako celok je el. neutrálny. Pohyb el. možno nahradiť pohybom fiktívnej kladne nabitej častice, označovanej ako diera. Diery sú voľné miesta vo valenčnom pásme. Diera slúži pre opis vodivosti v polovodiči. Pohybom dier vzniká dierový prúd. V praxi majú vlastné polovodiče len obmedzené použitie. Sú to východiskové materiály pre výrobu prímesových polovodičov. Generácia (proces vzniku) voľných nosičov je tepelný proces. Rekombinácia (zánik) je sprevádzaná vyžiarením kvanta energie.
● Prímesový polovodič: Vlastné polovodiče sa najprv maximálne vyčistia, aby sa mohli zámerne znečistiť. Prímesami možno regulovať veľkosť rezistivity a charakter el. vodivosti polovodičov. Prímesi predstavujú poruchy kryštálovej mriežky a môžu byť el. pasívne alebo aktívne.
Polovodiče typu N: Ak má prímesový prvok o jeden val. el. viac v polovodiči prevažuje elektrónová vodivosť. Prímesové atómy sú donormi (P, As, Pb v Si). Donory sú prvky s jedným mocenstvom vyšším ako mocenstvo základného polovodiča. Elektrón na viac nie je voľný ale na väzbe sa nezúčastňuje. Priťahuje ho kladné jadro atómu. Ale stačí dodať malú energiu a elektrón sa odtrhne a začne sa voľne pohybovať. Elektróny sú majoritné nosiče náboja. Diery sú minoritnými.
Polovodiče typu P: Ak má prímesový prvok o jeden vodivostný elektrón menej, prímesové atómy sú akceptormi a prevažuje dierová vodivosť (B, Al, Ga, In v Si). Keďže atómy sú napr. 3mocné, chýba im 1 el. na vytvorenie 4-tej kovalentnej väzby. Toto miesto sa javí ako kladne nabite, celkový kryštál, je však el. neutrálny. El. z vedľajšej väzby môže preskočiť na toto miesto a diera sa tak posunie. Energia preskakujúceho el. je o niečo vyššia, ako by bola energia riadneho el. kt. by bol na tomto mieste. Aby el. mohol preskočiť musíme mu dodať potrebnú energiu.Diery sú majoritné nosiče náboja, el. sú minoritné.
● Fickove zákony: (Difúzia voľných nosičov náboja) Difúzia je proces pri kt. nejaké častice prenikajú samovoľne do iného prostredia je to spôsobené nerovnováhou (termálnou al. koncentračnou). V polovodičoch je difúzia ponímaná ako vyskokoteplotný spôsob dotovania polovodičových vrstiev, kt. využíva termický pohyb difundujúcich častíc. K difúzii dochádza pri nerovnomernom znečistení vzorky, zahriatim jednej časti, dotykom s inými látkami a pod. Riadi sa Fickovými zákonmi. Difúzia vyvoláva tzv. difúzny prúd. Mechanizmy difúzie – výmenný, intersticiálny, vakačný, intersticiálne-substitučný. Príčiny difúzie sú: - nerovnomerné rozdelenie náboja (tok z vyššou konc. do nižšej konc.), vznik gradientu konc. a difúzneho prúdu. – nerovnomerné rozloženie teploty, gradient teploty.
1. Fickov zákon: Hovorí, že hustota difundujúcich častíc ja úmerná koncentračnému gradientu dn/dx a tok častíc smeruje do miesta menšej koncentácie
2. Fickov zákon: Určuje rozloženie nadifundovaných častíc, to zn. koncentračný alebo difúzny profil. Definuje aj časovú zmenu koncentrácie v objemovom elemente o hrúbke dx.
Difúzia sa využíva v oblasti elektrotechn. technológií a najmä k dotácii pre vytváranie vrstiev. Difúzia sa využíva aj pri výrobe tranzistorov a diód – zlato difunduje do povrchu. Zlato má veľký difúzny koeficient.
Pôvodne neutrálny polovodič sa nabíja, pretože difundujúce častice zanechávajú náboj opačného znamienka. Difúzny prúd je vždy sprevádzaný ohmickým (driftovým) prúdom. Rovnovážny stav nastane, keď sa difúzna prúdová hustota vyrovná ohmickej. Pôsobením el. poľa s int. E nastane
nerovnovážny stav.
● Schottkyho kontakt: (kontakt kov - polovodič) je známy v el. ako jav zapríčinený nerovnakou vnútornou energiou voľných elektrónov v okolí styku 2 rôznych materiálov. Úniku el. z kovu zabraňuje fitívna 2-vrstva na jeho povrchu. Ohyb en. hladín závidí od výstupných prác el – dochádza k vyrovnaniu Fermiho hladín. O tom či sa na prechode vytvorí usmeräujúci, alebo ohmický kontakt, rozhoduje výst. práca el. – en. potrebná na prechod z Fermiho do hladiny s 0 en.
Ak je v bezkontaktnom stave výstupná práca el. z kovu > ako výst. práca el. z polovodiča, prechod kovu s N polovodičom bude mať usmerňujúce účinky. Prechod kov – P polovodič – ohmické účinky. A naopak.
V prípade prechodu s usmerň. vlast. prechádzajú náboje z polovodiča do kovu a vytvorí sa Schottkyho 2-vrstva. Ohyb en. pásov u polovodiča.
V prípade ohmického kontaktu – vodivostné pásmo N zasahuje pod fermiho hladinu a val. pásmo P nad fermiho hladinu (napr. Au-Ge).
● PN priechod: za PN priechod (PNp) sa považuje: - priestorová zmena polovodiča, - oblasť polovodiča, v kt. sa mení el. vodivosť P na N, - rozhranie deliace dierovú a el. vodivosť v tom istom polovodiči.
V stave bez priloženého napätia: kvôli rozdielnym koncentráciám nastáva difúzia. (el. z N do P a diery z P do N). V dôsl. Difúzie vznikne el. pole a ohmický (aj difúzny) prúd. V okolí PN priechodu vznikne hradlová vrstva (ochudobnená o voľné nosiče náboja) Táto vrstva je príčina jednosmernej priepustnosti PN priechodu, má najväčší odpor a jej hrúbka sa dá regulovať napätím
Záverný smer: Diery z polovodiča N smerujú do P a el. z P do N. Hradlová vrstva sa zväčšuje. Až kým vznikne nasýtený prúd. Majoritné častice sú vytláčané zo stredu PNp na okraj a vzniká veľký odpor. Minoritné častice zapríčiňujú malý záverný prúd (rádovo v μA).
Priepustný smer: PNp je zapojený opačne. Pri určitej veľkosti napätia hradlová vrstva zanikne. PNp začnú prechádzať majoritné nosiče prúdu.
Kapacita PNp: Je podmienená pôsobením nábojovej dvojvrstvy, ktorá zasahuje do hĺbky w. Kapacitu PN priechodu určíme ak poznáme koncentráciu akceptorov, koncentráciu donorov a plochu PNp S.V závernom smere je vodivosť malá a kapacita výrazná. Kapacitu PNp využívajú varikapy.
Prieraz PN priechodu: Pri závernom smere dosiahne nasýtený stav a prestane závisieť na napätí. Záverné nap. dosiahne kritickú hodnotu a dochádza k rýchlemu vzrastu prúdu, rozvíja sa prieraz PNp.
Lavínový: Typický pre vysokoohmový PNp. Minoritné nosiče ioniujú atómy v mriežke. Rastie koncentrácia nosičov → nárazová ionizácia. Takto pracujú Zenerové diódy (v závernom smere) na stabilizáciu napätia. Hradlová vrstva musí byť dostatočne hrubá.
Tunelový: Nastáva pri veľmi vysokých intenzitách (až 105 Vcm-1). Jav sa nazýva Zenerov. Využíva sa v zenerových diódach, kt. majú veľmi tenkú hradlovú vrstvu. Pri malom napätí dosiahneme silné el. pole. prieraz sa uskut. tunelovaním el. cez hradl. vrstvu.
Tepelný: Je podmienený vznikom tepla pri prechode prúdu. Ak odvod tepla nie je dostatočný, dochádza k exponenciálnemu nárastu el. vodivosti a ďalšiemu nárastu tepla. Dochádza k prierazu v závernom smere. Prejaví sa vzrastom prúdu a poklesom napätia. Nie je to bežný jav pri záver. prúdoch.
● Príprava polovodičov:
Czochralského metóda prípravy monokryštálov: Zárodok monokryštálu upevnený na ťahacom hriadeli je priložený k tavenine v kremennom tégliku v grafitovom ohrievači pomaly vyťahovaný a rotovaný proti smeru otáčania taveniny. Prebieha to v inertnej atmosfére, alebo vo vákuu. Koncentrácia prímesí sa mení pozdĺž ťahaného kryštálu, lebo objem kvapaliny sa zmenšuje. Výsledný monokryštál je v tvare valca.
Epitaxia: Je narastanie monokryštalickej polovodičovej vrstvy na podložke. Výhodou je plynulo meniťeľná koncentrácia prímesí (a vytváranie PN priechodov). Homoepitaxiou deponujeme vrstvy rovnakého zloženia. Heteroepitaxiou rozdielneho zloženia. Dnes sa vo veľkej miere využívajú polovodiče vo forme vrstiev.Poznáme rôzne druhy epitaxií: Z plynnej fázy, z kvapalnej fázy, molekulárna epitaxia a grafoepitaxia.
● Príprava PN priechodu:
Zliatinová (legovacia): Presne odvážená pilulka dotovacieho materiálu sa položí na polovodičovú platničku, kde chceme PNp. Pri vyššej teplote sa zliatina roztopí a vrstva polovodiča sa rozpustí v zliatine – nastáva difúzia. Nasleduje chladnutie a vrstva opäť kryštalizuje. Na stanovenie hĺbky PNp je nutné poznať rozpustnosť polovodiča v inej látke.
Difúzna: Difúzia v pevnej fáze sa požíva najmä pri Si. Je tu potreba energetickej dotácie. Povrch substrátu vystavíme vysokej koncentrácii dopačných atómov v akomkoľvek skupenstve pri vysokej teplote. Preferovanou technikou je difúzia v otvorenej komore. Na substrát prúdi dopantný plyn. V evakuovanej komore sa pre prímesi As a Sb použiva substrát obrekaný inertným a dopačným plynom.
„Mesa“: Vznikla kombináciou difúznej a zliatinovej metódy, vývoj však vyústil do epitaxnej technológie. Takto vyrobené tranzistory majú podobu stolíka. Umožnika hromadnú výrobu tranzistorov.
Planárna: Typické je umiestnenie všetkých vývodov v jednej rovine. V Si doštičketypu N sa vytvorí vrstva izolačného laku, na ktorú sa nanesie fotorezist a priloží sa fotomaska. Vplyvom svetla sa fotorezist polamerizuje. Zamaskované časti ostávajú nespolymerizované. Nasleduje odleptanie nelakovanej vrstvy až po povrch Si. Do odkrytého polovodiča sa nechá nadifundovať P prímes. Celý proces sa opakuje. Nakoniec sa vyleptajú miesta pre kontakty emitora a bázy. Planárna a epitaxná technológia predstavuje základnú metódu pre sériovú výrobu el. súčiastok.
Iónová implantácia: Prímesové atómy sa do materiálu dostávajú formou prúdu iónov v vysokou energiou (MeV). Hĺbka vniknutia je 1 – 4 μm. Vylepšenie riadenia a presnosti. Lúč získavá potrebnú energiu aby prenikol do substrátu a zabudoval sa do mriežky. Nevyžaduje vysoké teploty. Nevýhodou je deštrukcia mriežky. Pre túto technológiu sa používajú vysoko jedovaté plyny (ako PF3).
9.Hrubé vrstvy:
Za HV sa považujú vodivé, rezistorové a dielektrické vrstvy, kt. sú v podobe pást deponované na (keramický) substrát. Tvoria pasívnu časť el. obvodu. Hrúbka je 10 – 30 μm. Ako celok so zabudovanými súčiastkami tvorí hybridný integr. obvod – HIO.
● Sieťotlačová technológia: Pretláčanie sieťotlačovaj pasty na substrát cez voľné otvory obrazca. Faktory: - použité šablóny, sieťky, - materiál sieťoviny, - rýchlosť, tlak a smer stierky, - materiál pasty,
viskozita, čistota a povrch substrátu.
Kvalita sieťoviny je principiálna charakteristika
Parametre sieťoviny: sieťovina sa vyrába napínaním vlákien polyesteru, nylonu alebo nerezu. Typ a parametre sieťoviny sa volia od: - pretláčaný materiál, - presnosť a ostrosť obrazca, - hrúbky sieťotlače, - veľkosti častíc pasty, - povrchu podložky.
Hrúbka pasty závisí od maskovacej emulzie, viskozity pasty, povrchu substrátu a techn. par. sieťoviny.: - počet vlákien na lin. dĺžke, - priemer vlákien, - parameter oka, - hrúbka sieťoviny, -
napätie sieťoviny, - spôsob tkania sieťoviny
● Materiály, vlastnosti, spracovanie: Pasty delíme na cementové, polymérne a špeciálne a z pohľadu el. vlastností ich delíme na: - vodivé, - rezistorové, - dielektrické.
Pasty pozostávajú zo 4 zákl. zložiek: - funkčného materiálu (prášk. častice kovov, oxidov...), - rozpúšťadla al. riedidla, - permanentného spojiva (adhezivo voči substrátu), - dočasné spojivo (drží zložky pohromade odstraňuje sa oxidáciou pri výpale)
HV dielektrické materiály sa používajú pre: - kondenzátory, - premostenia, - glazúru, - puzdrenie
Sušenie: Prebieha pri teplotách 100 - 150°C. Po tomto je možné naniesť ďalšiu vrstvu, alebo vypáliť.
Výpal: Odstraňuje organické materiály z pasty. Zabezpečiť elektrické vlastnosti a adhéziu k substrátu. Trvá 1 hod s max. teplotou 850°C.
Trimovanie odporov: Tolerancia vypálených odporov je ± 20%, potrebných parametrov. Najčastejšie sa trimuje pieskovaním al. laserom.
● Keramické substráty: Najdôležitejšie sú nasledujúce parametre: - relatívna permitivita, - el. pevnosť, - stratový činiteľ, - merná tep. vodivosť, - koeficient teplotnej rozťažnosti, - vnútorný odpor.
Atómová štruktúra
Základné pojmy
Atóm je sústava elementárnych častíc umiestnených v jadre a atómovom obale. Usporiadanie elementárnych častíc určuje chemicko-fyzikálne vlastnosti príslušného chemického prvku.
Jadro atómu je kladne nabité a tvorí prevažnú časť hmoty. Základnými stavebnými časticami jadra sú elektricky neutrálne neutróny a kladne nabité protóny.
Obal atómu tvorí prevažnú časť objemu atómu a jeho základnými stavebnými časticami sú záporne nabité elektróny.
subatomárnačastica |
symbol |
elektrický náboj |
hmotnosť |
neutrón |
n0 |
0 C |
mn = 1,674927.10−27 kg |
protón |
p+ |
+ 1,602176.10−19 C |
mp = 1,672621.10−27 kg |
elektrón |
e– |
– 1,602176.10–19 C |
me = 9,109382.10-31 kg |
Protónové (atómové) číslo Z udáva počet protónov v jadre.
Neutrónové číslo N udáva počet neutrónov v jadre.
Nukleónové číslo A je súčet protónového a neutrónového čísla.
Izotopy sú atómy s rovnakým protónovým číslom, teda toho istého chemického prvku, líšia sa však počtom neutrónov. Chemické prvky sa v prírode najčastejšie vyskytujú ako zmes rozličných izotopov.
Elektroneutrálny atóm obsahuje rovnaký počet elektrónov ako protónov.
Kvantová teória
Energia nie je atómom vyžarovaná alebo pohlcovaná spojito, ale v celistvých násobkoch elementárneho kvanta energie. Veľkosť tohto elementárneho kvanta energie je úmerná frekvencii žiarenia podľa vzťahu:
(1)
kde h = 6,626.10-34 Js je Planckova konštanta a f [Hz] frekvencia žiarenia.
Dôkazom platnosti kvantovej teórie je vysvetlenie fotoelektrického javu podaného A. Einsteinom (1905). Jav predpokladá, že svetlo je zložené z elementárnych častíc elektromagnetického žiarenia – z fotónov.
Fotón je elementárna častica nesúca elementárne kvantum elektromagnetickej energie, ktorá má nulovú pokojovú hmotnosť a pohybuje sa rýchlosťou svetla. Energia fotónu je úmerná frekvencii žiarenia podľa vzťahu (1). Každé elektromagnetické vlnenie (od rádiových vĺn, cez viditeľné svetlo až po gama žiarenie) je kvantované na fotóny.
Po dopadnutí svetla na kov fotóny odovzdávajú energiu elektrónom v atómoch kovu. Časť energie je spotrebovaná na uvoľnenie elektrónov z atómu vo forme výstupnej práce W1 a zvyšok energie si elektrón odnesie vo forme kinetickej energie. Elementárne kvantum energie hf dopadajúceho fotónu je súčtom týchto dvoch energií:
(2)
kde m predstavuje v tomto prípade hmotnosť elektrónu me = 9,109.10-31 kg, v [m.s-1] rýchlosť elektrónu a W1 = hf0 výstupná práca, v ktorej f0 [Hz] je charakteristická frekvencia žiarenia.
Pre každú časticu s energiou W možno podľa Einsteinovej rovnice W = mc2 vypočítať jej hmotnosť. Fotón s energiou Wf má hmotnosť
(3)
kde c = 2,998.108 m.s-1 je rýchlosť svetla.
Bohrov model atómovej štruktúry
Niels Bohr v roku 1917 predstavil teóriu vodíkového atómu. Sformulovaná je do troch Bohrovych postulátov:
1. Elektrón môže nadobudnúť len stav, pre ktorý je moment hybnosti elektrónu rovný celočíselnému násobku ћ, pričom ћ = h/2π:
(4)
čo vyjadruje, že elektrón sa pohybuje po kruhovej dráhe spĺňajúcej kvantovú podmienku 2pmvr = nh, kde m je hmotnosť, v rýchlosť elektrónu, r je polomer stabilnej kruhovej dráhy po ktorej elektrón obieha okolo jadra, h = 6,626.10-34 Js je Planckova konštanta a n kvantové číslo nadobúdajúce celočíselné hodnoty n = 1, 2, 3, ....
2. Elektrón sa v obale atómu môže nachádzať len v definovaných stavoch, t.j. každá kvantová dráha predstavuje určitý stacionárny stav elektrónu v atóme. Tento stav charakterizuje hlavné kvantové číslo n. Jednotlivé stavy sa odlišujú obsahom energie.
3. Elektrón vyžaruje alebo absorbuje energiu len pri prechode medzi stacionárnymi stavmi, pričom rozdiel ich energií je vyžiarený alebo pohltený vo forme fotónu s charakteristickou frekvenciou f
hf = Wn - Wm (5)
kde h je Planckova konštanta. Ak m < n, elektrón vyžiari energiu o veľkosti hf a dostane sa do nižšieho energetického stavu. V opačnom prípade musí energiu s touto veľkosťou absorbovať čím sa dostane do vyššieho energetického stavu na vyššej vrstve elektrónového obalu.
Najnižšia energia W1 prislúcha elektrónu na prvej kvantovej dráhe n = 1 a predstavuje atóm vodíka v základnom stave. Vybudenie elektrónu do excitovaného stavu nastáva ak sa elektrónu dodá energia prislúchajúca rozdielu energií dvoch kvantových dráh. Elektrón sa v tomto prípade nachádza na vyššej kvantovej dráhe, ale nakoľko to nie je stabilný stav, v čase ~10-8 s sa vracia do základného stavu a emituje energiu vo forme fotónu. Táto energia je podľa 3. Bohrovho postulátu rovná rozdielu energií hladín medzi ktorými elektrón prechádza.
Bohrova teória je dobre aplikovateľná na atómy vodíkového typu, teda s jediným elektrónom, ako jedenkrát ionizované hélium (He+) a dvakrát ionizované lítium (Li++), aj keď s odchýlkami v dôsledku väčšieho náboja jadra.
Voľné atómy v ionizovanom stave vysielajú diskrétne spektrum elektromagnetického žiarenia, ktoré je určené 3. Bohrovým postulátom. Vlnová dĺžka elektromagnetického žiarenia ionizovaného atómu teda jednoznačne charakterizuje jeho typ a na základe spektra môžeme identifikovať daný prvok.
Vlnový charakter elektrónu
V roku 1924 vyslovil de Broglie myšlienku vlnového charakteru elektrónov. Poukázal na skutočnosť, že pre fotóny musia platiť Planckova aj Einsteinova rovnica:
(6)
(7)
Spojením rovníc (6) a (7) je vlnová dĺžka fotónu
(8)
Analogicky ako pre fotón je charakteristická vlnová dĺžka elementárnej častice (napr. elektrónu) s hmotnosťou m daná rovnakou rovnicou:
(9)
Z Bohrovej teórie atómu vyplýva pohybová rovnica pre atóm vodíka, podľa ktorej je odstredivá sila (mv2/r) pôsobiaca na elektrón v dôsledku krúživého pohybu okolo jadra zhodná s príťažlivou silou jadra (danou Coulumbovou príťažlivou silou q1q2/4πε0r2) voči tomuto elektrónu:
(10)
kde m je hmotnosť elektrónu, v rýchlosť elektrónu, r polomer kruhovej dráhy po ktorej elektrón obieha okolo atómového jadra, e = 1,602.10-19 C je elementárny náboj elektrónu a ε0 = 8,854.10-12 Fm-1 jepermitivita vákua.
Odvodením a dosadením rýchlosti elektrónu je potom vlnová dĺžka elektrónu v atóme vodíka v základnom stave
(11)
V základnom stave odpovedá dráha elektrónu jednej elektrónovej vlne. Pre vyššie dráhy možno z prvého Bohrovho postulátu odvodiť, že elektrón obieha okolo jadra bez vyžarovania energie, ak obvod kruhovej dráhy je n násobkom jeho vlnovej dĺžky:
(12)
Vlnová funkcia, kvantové čísla
Vlnový charakter pohybu elektrónov opísal Schrödinger v r. 1927 vlnovou rovnicou. Riešením rovnice pre jeden hmotný bod a časovo ustálený dej sú kvantové čísla n, l a m. Zahrnutím spinového kvantového čísla s predstavuje úplnú vlnovú funkciu. Konfigurácia kvantových čísel určuje umiestnenie elektrónov na kvantových dráhach.
Hlavné kvantové číslo n označuje elektróny jednej vrstvy. Nadobúda hodnoty celých kladných čísel n = {1, 2, 3, ..., n}. Prvých sedem vrstiev označujeme veľkými písmenami K, L, M, N, O, P, Q.
Vedľajšie kvantové číslo l charakterizuje dráhy elektrónov líšiacich sa energiou v rámci jednej vrstvy. Nadobúda hodnoty celých čísel l = {0, 1, 2, ..., n – 1}. Vedľajšie kvantové číslo udrčuje orbitály, ktoré označujeme ich s, p, d, f (po rade zodpovedajúce hodnote l = 0, 1, 2, 3). Každá vrstva má konštantný počet orbitálov. Orbitál označuje vlnovú funkciu závislú od súradníc vymedzujúcich priestor pohybu elektrónu.
Magnetické kvantové číslo m súvisí s rozložením dráh v priestore a takisto rozlišuje elektróny podľa energie. Nadobúda hodnôt celých čísel m = {-l, ...,-1, 0, 1, ..., +l}. Daný orbitál sa v magnetickom poli štiepi na 2l+1 skupín.
Spinové kvantové číslo s určuje smer rotácie elektrónu okolo svojej osi – spin. Nadobúda hodnoty ±0,5.
Základné informácie o kvantových číslach vystihuje nasledujúca prehľadová tabuľka:
kvantové číslo |
hodnota |
alternatívne označenie |
špecifikácia |
|
n |
hlavné |
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 ... |
K, L, M, N, O, P, Q |
číslo vrstvy v elektrónovom obale |
l |
vedľajšie |
0, 1, 2, 3 ... n-1 |
s, p, d, f |
typ orbitálu vo vrstve |
m |
magnetické |
-l ... 0 ... l |
px, py, pz, dxy... |
magnetický moment hybnosti elektrónu |
s |
spinové |
± ½ |
|
vnútorný moment hybnosti elektrónu |
Kvantový stav elektrónu je určený úplnou vlnovou funkciou, špecifikovanou štyrmi kvantovými číslami. Na základe štúdia atómových spektier definoval Pauli princíp výlučnosti, resp.:
Pauliho vylučovací princíp: v atóme nemôžu existovať dva elektróny s rovnakým kvantovým stavom, a teda ani s rovnakou konfiguráciou kvantových čísel.
Z uvedených pravidiel vyplývajú aj maximálne počty elektrónov vo vrstvách a orbitáloch. Maximálny počet elektrónov na orbitáli daného typu je
(13)
a z toho maximálny počet elektrónov vo vrstve
(14)
Číselne vyjadrené maximálne počty elektrónov na prvých štyroch orbitáloch a vrstvách podľa rovníc (13) a (14) sú vyjadrené v nasledujúcej tabuľke:
nl |
2(2l+1) |
nn |
2n2 |
ns |
2(2.0+1) = 2 |
nK |
2.12 = 2 |
np |
2(2.1+1) = 6 |
nL |
2.22 = 8 |
nd |
2(2.2+1) = 10 |
nM |
2.32 = 18 |
nf |
2(2.3+1) = 14 |
nN |
2.42 = 32 |
Elektrónové orbitály
Pravdepodobnosť výskytu elektrónu v istej vzdialenosti od jadra možno opísať trojrozmerným zobrazením, definujúcim oblasti vysokej pravdepodobnosti výskytu elektrónu vo vnútri obalovej plochy.
|
Obr. 1.1 Medzný povrch orbitálov, zľava orbitál s (l = 0), orbitál px (l = 1, m = -1, 0, 1) a orbitály dxy a dz(l = 2, m = -2,-1,0,1,2) (podobne dxz, dyz,...) |
Orbitály s podobnou energiou tvoria energetické vrstvy. V atómoch viacelektrónových prvkov sú coulombovské interakcie medzi elektrónmi tak slabé, že ich energetické stavy sú približne rovnaké ako v atóme vodíka. Modely zložitejších atómov preto možno formálne budovať z „vodíkových“ orbitálov. Poradie obsadzovania orbitálov je v zmysle od orbitálu s najnižšou energiou.
Pre zápis elektrónovej konfigurácie je používaný tvar nli, kde n predstavuje číslo vrstvy, l označenie typu orbitálu pomocou písmen (s, p, d, a f) na danej vrstve n a i je počet obsadených elektrónov na tomto orbitáli. Elektrónová konfigurácia hélia tak nadobúda tvar 1s2 a lítia 1s22s1. Orbitál p je možné označovať ako px, py a pz, no postačuje uviesť počet elektrónov na orbitáli v zmysle Hundovho pravidla maximálnej multiplicity:
- elektróny sa neumiestňujú do jedného orbitálu po dvoch (nevytvárajú páry), kým tomu nebráni snaha minimálnej energie atómu, teda snaha maximálnej stability,
- elektróny umiestnené po jednom v niekoľkých orbitáloch majú rovnaký spin.
Z toho vyplýva, že elektróny obsadzujú orbitály tak, aby pred ich spinovým párovaním bolo na orbitáloch daného typu čo najviac elektrónov s rôznym magnetickým číslom.
Napríklad pre uhlík je elektrónová konfigurácia 1s2 2s2 2px 2py ale postačuje zápis v tvare 1s22s22p2. Pri pomyselnom zvyšovaní atómového čísla dôjde až po obsadení pz k ich spárovaniu. Vrstvu uzatvára neón s elektrónovou konfiguráciou 1s22s22p6.
Podobne to platí i pre orbitál d, najprv však bude obsadzovaný orbitál s vyššej vrstvy, pretože elektrón potrebuje na jeho obsadenie nižšiu energiu. Poradie orbitálov podľa energie sa mení s nábojom jadra.
Elektrónová konfigurácia atómu vápnika tak nadobúda tvar:
Z = 20 (Ca) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 ≡ 10Ne 3s2 3p6 4s2 ≡ 18Ar 4s2
Navyše sú v pravidelnosti usporiadania výnimky, napríklad u chrómu a medi je orbitál s najbližšej vyššej vrstvy ochudobnený o jeden elektrón, pretože tento uzatvára orbitál d v rámci spinu:
Z = 23 (V) 18Ar) 4s2 3d3
Z = 24 (Cr) 18Ar 4s2 3d4 → 18Ar 4s1 3d5
Z = 28 (Ni) 18Ar 4s2 3d8
Z = 29 (Cu) 18Ar 4s2 3d9 → 18Ar 4s1 3d10
Tretia vrstva je kompletná a po opätovnom spárovaní 4s sa začína zapĺňať orbitál 4p:
Z = 30 (Zn) 18Ar 4s2 3d10
Z = 31 (Ga) 18Ar 4s2 3d10 4p1
Kryštálové štruktúry
Chaotický tepelný pohyb atómov a molekúl pri dostatočne vysokej teplote znemožňuje ich usporiadanie väzbami. Väzbová energia elektrónov v obale atómov je 4÷25 eV, kovalentných väzieb 3÷8eV, iónových 3÷4 eV a van der Waalsovych 0,01÷0,1 eV. Preto látky s kovalentnou a iónovou väzbou majú podstatne vyššie body tavenia, ako látky s van der Waalsovou väzbou. Stredná tepelná energia kT je pre izbovú teplotu 0,3 eV. Pre 105 K je už 10 eV, čo znemožňuje akúkoľvek väzbu.
Kryštálová mriežka je sústava atómov, molekúl alebo iónov v objeme kryštálu taká, že ich usporiadanie je identické okolí ktoréhokoľvek mriežkového uzla. Bravaisove mriežky sú 7 základných sústav: kosoštvorcová (S, Ga), štvorcová (βSn, TiO2), kubická (Cu, Ag, Au, Al, Fe), šesťuholníková (Zn, Mg, AsNi), romboedrická (As, Sb, Bi), trojklonná, monoklonná. Množstvo fyzikálnych dejov prebieha prednostne v určitých mriežkových rovinách. Kryštálové mriežky opisujeme Millerovými indexmi kryštalografickej roviny a kryštalografického smeru.
Elementárna bunka kryštálovej mriežky je základná stavebná jednotka, ktorá obsahuje základný motív kryštálovej sústavy.
Použité fyzikálne konštanty
značka |
jednotka |
názov |
veľkosť |
e0 |
[F.m-1] |
permitivita vákua |
8,854.10-12 |
c |
[m.s-1] |
rýchlosť svetla |
2,998.108 |
e |
[C] |
elementárny náboj elektrónu |
1,602.10-19 |
h |
[J.s] |
Planckova konštanta |
6,626.10-34 |
me |
[kg] |
hmotnosť elektrónu |
9,109.10-31 |
mn |
[kg] |
hmotnosť neutrónu |
1,675.10-27 |
mp |
[kg] |
hmotnosť protónu |
1,673.10-27 |
Použité fyzikálne veličiny a parametre
značka |
jednotka |
názov |
λ |
[m] |
vlnová dĺžka žiarenia |
Ψ |
|
vlnová funkcia de Broglieho vlny |
A |
|
nukleónové číslo |
f |
[Hz] |
frekvencia žiarenia |
f0 |
[Hz] |
charakteristická frekvencia |
l |
|
vedľajšie kvantové číslo |
m |
[kg] |
hmotnosť častice; magnetické kvantové číslo |
n |
|
hlavné kvantové číslo |
N |
|
neutrónové číslo |
r |
[m] |
polomer (vzdialenosť) |
s |
|
spinové kvantové číslo |
v |
[m.s-1] |
rýchlosť elektrónu |
W |
[J], [eV] |
energia |
Wk |
[J], [eV] |
kinetická energia |
Wp |
[J], [eV] |
potenciálna energia |
Z |
|
protónové (atómové) číslo |
Vodivé materiály - kovy
Základné pojmy
Vodivé materiály sú materiály vedúce elektrický prúd, pričom ich elektrická vodivosť je založená na báze elektrónovej alebo iónovej vodivosti.
Kovy sú kryštalické látky s kovovými väzbami u ktorých je vedenie elektrického prúdu sprostredkované prenosom elektrónov, pričom nedochádza k žiadnym pozorovateľným chemickým zmenám. V elektrotechnickej praxi sa využíva predovšetkým ich vysoká vodivosť.
Odporové materiály sú materiály s vysokou rezistivitou, väčšinou vyrábané zo zliatin kovov. Ich odpor voči elektrickému prúdu sa využíva predovšetkým pri premene elektrickej energie na teplo a na výrobu rezistorov.
Supravodiče sú špeciálnou skupinou vodivých materiálov, ktorých elektrická vodivosť je pri teplote blízkej absolútnej nule veľmi vysoká.
Elektrický prúd je fyzikálna veličina vyjadrujúca množstvo elektrického náboja, ktorý prejde vodičom za jednotku času. Ako jav vo vodičoch predstavuje stav usmerneného pohybu voľných elektrónov pôsobením elektrického poľa.
Stredná voľná dráha elektrónu je štatistická stredná hodnota dráhy, ktorú elektrón prekoná medzi dvoma zrážkami v kryštálovej mriežke vodiča.
Kvantová teória vodivosti kovov
Podľa kvantovej teórie veľkosť energie elektrónu, ktorý prešiel z jedného kvantového pásma s energiou Wl do druhého s energiou W2, je daná Einsteinovym vzťahom:
W1 - W2 = hf [J] (1)
kde h = 6,625.10-34 Js je Planckova konštanta a f [Hz] frekvencia absorbovanej/emitovanej častice.
Hodnota energie najvyššej hladiny, obsadenej pri teplote absolútnej nuly, sa nazýva Fermiho energia WF.
Energiu Fermiho hladiny kovu je vo vzťahu ku koncentrácii voľných elektrónov možné vyjadriť rovnicou:
[J] (2)
kde h = 6,6025.10-34 Js je Planckova konštanta a me = 9,109.10-31 kg hmotnosť elektrónu.
Aby elektrón mohol vystúpiť z kovu do vákua, potrebuje energiu značne väčšiu ako je WF. Túto energiu W nazývame výstupná práca.
Pravdepodobnosť, s akou sa zaplňujú energetické hladiny, je možné vypočítať pomocou Fermi-Diracovej rozdeľovacej funkcie:
(3)
kde W [J] je energia uvažovanej hladiny a WF [J] energia Fermiho hladiny.
|
|
Obr. 1 Znázornenie Fermi-Diracovej rozdeľovacej funkcie |
Ak T = 0 K a W < WF, potom podľa vzťahu (3) je exp(-∞) → 0, a preto pravdepodobnosť obsadenia hladiny je fFD = 1. Z toho vyplýva, že energetické hladiny s menšou hodnotou ako WF sú obsadené elektrónmi.
Ak T = 0 K a W > WF, potom exp(+∞) → +∞ a fFD = 0 z čoho vyplýva, že všetky energetické hladiny s vyššou než WF sú prázdne.
Ak W = WF, potom exp(0) → 1 fFD = 0,5.
Pri nenulových hodnotách teploty dochádza k tepelnej excitácii elektrónov, čiže elektróny nadobúdajú vyšších hodnôt energie ako WF. Časť energetických hladín pod WF nie je celkom obsadená elektrónmi, pretože elektróny preskočia na hladiny energeticky vyššie.
Elektrické vlastnosti kovov
Najdôležitejšou elektrickou vlastnosťou kovov je ich elektrická vodivosť, ktorú vysvetľuje elektrónová teória kovov ako následok pohybu voľných elektrónov v kryštálovej mriežke kladných iónov.
Voľné elektróny sa vo vodiči pohybujú neusporiadane, rôznymi smermi a rýchlosťami. Pôsobením elektrického poľa dôjde k usmerneniu chaotického pohybu voľných elektrónov vo vodiči.
Predpokladajme, že hustota (koncentrácia) elektrónov je n elektrónov v 1 m3. Intenzita elektrického poľa spôsobí, že elektróny sa budú pohybovať v jej smere, v dôsledku čoho sa objaví okamžitáhustota prúdu
J = env [A.m-2, C, m-3, m.s-1] (4)
kde e = 1.602.10-19 C je elektrický náboj elektrónu a v [m.s-1] stredná driftová rýchlosť elektrónov v smere intenzity elektrického poľa.
Okamžitá hodnota sily pôsobiacej na elektrón je:
F = ma = eE [N, C, V.m-1] (5)
pričom platí:
[ms-2] (6)
kde E [V.m-1] je okamžitá hodnota intenzity elektrického poľa v predpokladanom mieste a [s] je relaxačná doba – doba, za ktorú sa elektrón udrží voľný.
Zo vzťahu (4) a (6) dostaneme:
[A.m-2] (7)
v ktorom výraz:
[S.m-1] (8)
predstavuje konduktivitu (mernú elektrickú vodivosť) vodiča. Dosadením rovnice (8) do (7) je hustota prúdu daná vzťahom:
J = γE [Am-2] (9)
ktorý predstavuje Ohmov zákon v diferenciálnej forme. Rezistivita (merný elektrický odpor) vodiča je obrátenou hodnotou konduktivity:
[Ω.m] (10)
Rezistivita ρ udáva odpor vodiča dlhého 1 m o priereze 1 m2 pri danej teplote 20°C. Jeho jednotkou je [Ωm].
Kryštálová mriežka kovov alebo zliatiny kovov kladie usporiadanému pohybu voľných elektrónov určitý odpor R [Ω]. Odpor vodiča závisí na jeho rozmeroch, jeho materiáli, teplote a ďalších činiteľoch. Pri danej teplote je odpor vodiča určený svojou dĺžkou l, priemerom S a rezistivitou ρ materiálu podľa vzťahu:
[Ω] (11)
Vzťah (11) platí pre prípad, keď vodičom prechádza jednosmerný alebo striedavý prúd s malou frekvenciou. Vysokofrekvenčnému prúdu kladie vodič väčší odpor ako jednosmernému prúdu. Zväčšenie odporu pri vyšších frekvenciách súvisí s tzv. povrchovým zhustením prúdu (skinefekt).
Rovnica (9) je Ohmov zákon vyjadrujúci lineárnu závislosť hustoty prúdu na intenzite elektrického poľa vo vodiči. Ak zavedieme pojem pohyblivosti nosiča náboja u ako podiel rýchlosti v a intenzity elektrického poľa E, potom:
[m2.V-1.s-1] (12)
po dosadení rovnice (12) do (8) je konduktivita vodiča daná vzťahom:
γ = enu [S.m-1] (13)
Konduktivita kovov je teda závislá na náboji elektrónov, na ich pohyblivosti a koncentrácii.
V kovoch je koncentrácia elektrónov konštantná, mení sa len ich pohyblivosť.
Pri teplote 0 K je pohyblivosť elektrónov najmenej rušená tepelnými pohybmi iónov a voľná dráha je najdlhšia. S rastúcou teplotou sa počet zrážok elektrónov s iónmi zvyšuje a pohyb elektrónov kryštálom je intenzívne brzdený.
Pohyb elektrónov môže byť brzdený aj poruchami mriežky ako sú vakancie, intersticiálne atómy, dislokácie, atómy nečistôt, hranice zŕn.
Ak označíme rezistivitu ovplyvnenú tepelným pohybom iónov ρ(T) a rezistivitu ovplyvnenú poruchami kryštálu alebo prímesami ρ0 , môžeme celkovú rezistivitu kovu vyjadriť rovnicou
ρ = ρ0 + ρ(T) [Ω.m] (14)
ktorá odpovedá Mathiessenovmu pravidlu. Elektrický odpor čistých kovov je úmerný absolútnej teplote.
Závislosť elektrického odporu vodičov na teplote je vo veľkom teplotnom intervale prakticky lineárna a môžeme ju vyjadriť vzťahom
R = R0 (1 + a DJ) [Ω] (15)
Teplotný súčiniteľ odporu a [K-1] udáva, koľkokrát sa zväčší odpor pri zahriati vodiča o 1 °C, DJ = J1 – J2 je teplotný rozdiel [K] a R0 [Ω] počiatočný odpor vodiča.
Takisto rezistivita závisí na teplote lineárne podľa vzťahu
r = r0 (1 + a DJ) [Ω.m] (16)
Termoelektrické vlastnosti kovov
Vodivým spojením dvoch kovov vzniká kontaktný potenciál. Predpokladajme rovnakú koncentráciu elektrónov v oboch kovoch. Ich spojením dôjde k vyrovnaniu ich Fermiho hladín tunelovým prechodom elektrónov alebo pri vyšších teplotách termoemisiou elektrónov z kovu s menšou výstupnou prácou WK1 (vyššou Fermiho hladinou) do kovu s väčšou výstupnou prácou WK2, ktorý vzhľadom k prebytku elektrónov získa záporný náboj. Potenciálový rozdiel stykových plôch
UK = (WK2 – WK1) / e [V] (17)
Uzavretím obvodu a uvedením spojených koncov na rozličné teploty potečie elektrický prúd v dôsledku termoelektrického napätia., vzniknutého z dvoch nezávisle vzniknutých napätí – kontaktového a objemového. Objemové napätie vzniká difúziou voľných nosičov náboja z oblasti s vyššou teplotou do oblasti s nižšou, čím sa elektrická rovnováha týchto oblastí porušuje a vzniká potenciálový rozdiel brániaci ďalšej difúzii.
Tepelná vodivosť
Tepelná vodivosť kovov udáva ich schopnosť viesť tepelnú energiu. Merná tepelná vodivosť [W.m-1.K-1] udáva množstvo tepla, ktoré prejde za 1 s kockou s hranou 1 m z danej látky medzi dvoma protiľahlými stenami, medzi ktorými je teplotný rozdiel 1 K. Najväčšiu mernú tepelnú vodivosť majú čisté kovy s veľkou elektrickou vodivosťou ako sú striebro, meď, zlato a hliník.
Pomer mernej tepelnej vodivosti ku konduktivite γ je priamo úmerný termodynamickej teplote a je pre všetky kovy rovnaký, t. j. nezávisí na druhu kovu.
(18)
Vzťah (2.18) je Wiedemann-Franzov zákon, kde k = 1,38.10-23 J.K-1 je Boltzmanova konštanta.
Supravodivosť
U niektorých kovov, zliatin a kovových zlúčenín pri teplotách blízkych absolútnej nule odpor klesá nekontinuálne, skokom na hodnotu teoreticky nulovú - nastáva jav supravodivosti.
Supravodivý stav sa v supravodičoch udržuje, len ak sú splnené tri podmienky:
a) teplota supravodiča je nižšia, ako kritická teplota TK,
b) intenzita magnetického poľa je nižšia ako kritická intenzita HK,
c) hustota prúdu, ktorý preteká vodičom, je nižšia ako kritická hustota JK.
Intenzita magnetického poľa, pri ktorej stav supravodivosti pri danej teplote T [K] zaniká, je definovaná ako kritická intenzita magnetického poľa HK [Am-1]. Jej závislosť na teplote u všetkýchsupravodičov môžeme vyjadriť vzťahom:
(19)
supravodivý materiál je potom definovaný parametrami H0 a T0.
Použité fyzikálne konštanty
značka |
jednotka |
názov |
veľkosť |
e |
[C] |
elementárny náboj elektrónu |
1,602.10-19 |
h |
[J.s] |
Planckova konštanta |
6,626.10-34 |
k |
[J.K-1] |
Boltzmannova konštanta |
1,38.10-23 |
me |
[kg] |
hmotnosť elektrónu |
9,109.10-31 |
Použité fyzikálne veličiny a parametre
značka |
jednotka |
názov |
α |
[K-1] |
teplotný súčiniteľ odporu |
γ |
[S.m-1] |
konduktivita (v staršej literatúre: merná elektrická vodivosť) |
λT |
[Wm-1K-1] |
merná tepelná vodivosť |
v |
[m.s-1] |
stredná okamžitá rýchlosť elektrónu |
ρ |
[Ω.m] |
rezistivita (v staršej literatúre: merný elektrický odpor) |
τ |
[s] |
relaxačná doba |
a |
[m.s-2] |
zrýchlenie elektrónu |
E |
[V.m-1] |
elektrická intenzita |
f |
[Hz] |
frekvencia žiarenia |
fFD |
|
Fermi-Diracova rozdeľovacie funkcia |
F |
[N] |
sila |
HK |
[A.m-1] |
kritická intenzita magnetického poľa |
I |
[A] |
elektrický prúd |
J |
[A.m-2] |
hustota prúdu |
l |
[m] |
dĺžka vodiča |
m |
[kg] |
hmotnosť |
n |
|
hlavné kvantové číslo |
R |
[W] |
elektrický odpor |
S |
[m2] |
prierez vodiča |
T |
[K] |
teplota |
TK |
[K] |
kritická teplota |
u |
[m2.V-1.s-1] |
pohyblivosť nosičov náboja |
UK |
[V] |
potenciálový rozdiel |
W |
[J], [eV] |
energia elektrónu |
WF |
[J], [eV] |
energia Fermiho hladiny |
Teoretický rozbor ku príkladom z elektroizolačných materiálov
Z hľadiska pásmovej teórie tuhých látok možno izolanty charakterizovať ako látky s plne obsadeným valenčným pásmom ∆WV.
Šírka zakázaného pásma ∆WZ izolantov je viac ako 3 eV, pričom vodivostné pásmo ∆WC je prázdne. Hodnota r na obrázku predstavuje vzdialenosť atómov.
Elektricky viazané náboje môžu byť v molekulách rôzne usporiadané, a teda môžu tvoriť:
a) nepolárne molekuly (neutrálne) so symetrickou stavbou. Chemické väzby sú kovalentné, bez dipólového momentu. Pôsobením vonkajšieho poľa sa symetria nábojov v molekule poruší a nepolárna molekula vytvorí elektrický dipól. Vzniknutý elektrický moment nazývame indukovaný dipólový moment.
b) polárne molekuly (dipólové) s nesymetrickou stavbou a trvalým momentom.
Dipólový moment µ0 predstavuje vektor orientovaný v smere spojníc ťažísk oboch nábojov, pričom smeruje od záporného náboja ku kladnému:
[C.m] (1)
kde q je veľkosť náboja [C], d vzájomná vzdialenosť posunutých nábojov [m].
Indukovaný dipólový moment je daný vzťahom:
[C.m] (2)
kde α je polarizovateľnosť [F.m2], E intenzita elektrického poľa [V.m-1].
Polarizácia dielektrík
Pohyb viazaných elektrických nábojov v izolantoch účinkom elektrického poľa, vysunutie týchto nábojov z ich rovnovážnych polôh na ohraničenú malú vzdialenosť a orientácia dipólových molekúl v smere pôsobiaceho poľa sa nazýva polarizácia dielektrík.
Základnou fyzikálnou vlastnosťou dielektrika je jeho elektrická polarizovateľnosť, čiže miera deformability vplyvom elektrického poľa:
[C.m-2] (3)
kde P je dielektrická polarizácia [C.m-2], ε0 = 8,854. 10-12 F.m-1 permitivita vákua, κ dielektrická susceptibilita a E [V.m-1] intenzita elektrického poľa.
Dielektrická susceptibilita sa dá vyjadriť vzťahom:
(4)
kde εr je relatívna permitivita dielektrika.
Elektrónová polarizácia je pružné vychýlenie elektrónov, ktoré sa vyskytuje vo všetkých izolačných materiáloch.
Clausius – Mosottiho rovnica je daná vzťahom
(5)
kde p je molová polarizácia (polarizácia na jednotkové látkové množstvo), n koncentrácia častíc.
Relatívna permitivita
Relatívna permitivita εr je jednou zo základných materiálových charakteristík dielektrík a izolantov. Je mierou polarizácie dielektrika. Podľa Coulombovho zákona vyjadruje relatívna permitivita vplyv prostredia na veľkosť sily pôsobiacej medzi nábojmi, ktoré sa nachádzajú v určitej vzdialenosti r:
[N] (6)
kde F [N] je veľkosť sily medzi nábojmi Q1 a Q2 [C].
Z uvedeného vzťahu je zrejmé, že relatívna permitivita udáva, koľkokrát je sila pôsobiaca na náboj v danom prostredí menšia ako sila pôsobiaca na ten istý náboj vo vákuu.
Relatívnu permitivitu možno definovať aj pomocou vzťahu medzi elektrickou indukciou D a intenzitou elektrického poľa E:
[C.m-2] (7)
Najvhodnejším spôsobom definovania relatívnej permitivity je na základe súvislosti s kapacitou kondenzátora, ako pomer kapacity kondenzátora, ktorého elektródy sú v priestore úplne vyplnenom príslušným dielektrikom a kapacity rovnako usporiadaných elektród vo vákuu, t.j.:
(8)
kde Qx [C] je náboj a Cx [F] kapacita na doskách kondenzátora, Q0 náboj a C0 kapacita na doskách toho istého kondenzátora, ak je medzi nimi vákuum.
Tento vzťah umožňuje určiť εr pomocou ľahko merateľnej veličiny – kapacity. Relatívnu permitivitu εr ovplyvňujú predovšetkým charakter polarizačných procesov, teplota a frekvencia.
Náboj a jeho plošná hustota
Ak pripojíme napätie U na vákuový kondenzátor s kapacitou C0, tvorený systémom elektród vo vákuu, pritečie na elektródy náboj +Q0, resp. –Q0, ktorého veľkosť je
[C] (9)
kde Q0 je náboj na elektródach [C], C0 kapacita kondenzátora [F], U elektrické napätie [V].
Medzi elektródami sa vytvorí elektrické pole intenzity E:
[V.m-1] (10)
kde E je intenzita elektrického poľa [V.m-1], d vzdialenosť elektród [m].
Plošná hustota voľného náboja
[C.m-2] (11)
kde S [m2] je plocha elektród kondenzátora. Plošná hustota náboja je rovná elektrickej indukcii D [C.m-2], t.j.:
[C.m-2] (12)
Ak vsunieme medzi elektródy dielektrikum, pritečie zo zdroja na elektródy ďalší náboj Qp (viazaný náboj), ktorý kompenzuje náboj na povrchu dielektrika.
Pritečenie ďalšieho náboja na elektródy po vložení dielektrika znamená, že sa zväčšila kapacita kondenzátora na
[F] (13)
kde Q0 je voľný a Qp viazaný náboj [C].
|
Doskový kondenzátor s dielektrikom |
Vzťah pre výpočet kapacity doskového kondenzátora s vloženým dielektrikom je:
[F] (14)
kde ε0 = 8,854.10-12 F.m-1 je permitivita vákua, εr relatívna permitivita, S [m2] plocha elektród, d [m] vzdialenosť elektród.
Energia kondenzátora sa vypočíta podľa vzťahu:
[J] (15)
kde Q [C] je náboj, U [V] napätie, C [F] kapacita kondenzátora.
Elektrická vodivosť
Vodivosť (konduktivita) charakterizuje usporiadaný pohyb elektrických nábojov v látke, ak na ňu pôsobí vonkajšie elektrické pole. Vnútorná konduktivita je daná koncentráciou voľných nosičov náboja n [m-3], veľkosťou náboja e = 1,602.10-19 C a pohyblivosťou u [m2.V-1.s-1] podľa vzťahu:
[S.m-1] (16)
Hodnota konduktivity γ reálnych izolantov je menšia ako 10-8 S.m-1.
Teoretický rozbor ku príkladom z polovodičových materiálov
Šírka zakázaného pásma polovodičov je v rozmedzí 1,5 – 3 eV. Pri izbovej teplote sa elektrická vodivosť polovodičov používaných v praxi nachádza v oblasti 105 – 10-11 S.m-1. Atómy základných polovodičových prvkov kremíka - Si a germánia - Ge patria do IV. skupiny periodickej sústavy. U kremíka je šírka zakázaného pásma ΔWZ = 1,1 eV a v izolovanom stave má elektrónovú konfiguráciu:
14Si: 10Ne 3s2 3p2
Atómy kremíka i germánia majú v poslednej vrstve obsadené len dva elektróny, mohli by sme teda očakávať mocenstvo 2. V skutočnosti ale jeden elektrón z orbitálu s prechádza do orbitálu p. V prípade germánia je 28 elektrónov a v prípade kremíka 10 elektrónov pevne viazaných k jadru atómu. Zvyšné 4 elektróny na orbitáloch s a p patriace k neúplne obsadeným skupinám sa správajú ako valenčné elektróny.
Pre polovodiče je charakteristická kovalentná väzba, pri ktorej patria valenčné elektróny súčasne k susedným atómom. V kryštálovej mriežke čistého kremíka a germánia väzbu sprostredkuje elektrónový pár, pričom každý atóm je svojimi 4 valenčnými elektrónmi „zviazaný“ so štyrmi susednými atómami (Obr. 1) zaujímajúcimi vrcholy pravidelného tetraédra. Usporiadanie atómov kryštálovej mriežky takto vytvára diamantovú štruktúru (Obr. 2).
Pretože hustota elektrónov medzi atómami je veľmi vysoká a elektróny sú pevne viazané, ide o izolant. Až pri dostatočne vysokej teplote sa časť väzbových elektrónov uvoľní a tým sa vytvorí vlastná vodivosť.
|
|
Obr. 1 Schematické znázornenie kovalentnej väzby. |
Obr. 2 Kryštálová štruktúra diamantu. |
Koncentrácie elektrónov nn a dier np sú vo vlastnom polovodiči rovnaké a teda musí byť splnená podmienka neutrality:
[m-3] (1)
kde index i znamená intrinzickú (vlastnú) koncentráciu.
Matematicky možno elektrickú vodivosť polovodičov vyjadriť analogicky ako pri kovoch s tým rozdielom, že je potrebné rozoznávať dva druhy nosičov prúdu. Rovnako je potrebné prihliadnuť k špecifickým vlastnostiam pohybu častíc v periodickom potenciáli kryštálovej mriežky z kvantovo-mechanického hľadiska. Elektrón sa z tohto pohľadu v mriežke správa ako keby mal hmotnosť
(2)
kde ħ = h/2π je redukovaná Planckova konštanta, k vlnový vektor, t.j. veličina udávajúca smer vlny častice (|k| = k = 2π/λ, λ je vlnová dĺžka) a W je energia častice. Veličina m* sa nazýva efektívna hmotnosť a je závislá na smere pohybu nosičov a na ich energii W.
Pohyblivosť elektrónov un a dier up bude
[m2.V-1.s-1] (3)
kde un (up) je pohyblivosť elektrónov (dier), τn (τp) je relaxačná doba elektrónov (dier) a mn* (mp*) je efektívna hmotnosť elektrónov (dier).
Pre elektrické vodivosti spôsobené elektrónmi σn a dierami σp platia vzťahy
(4)
S prihliadnutím k podmienke neutrality (4.1), môžeme konduktivitu vlastného polovodiča určiť vzťahom
. (5)
Konduktivita polovodičov je závislá od teploty. Pre vlastný polovodič je táto závislosť určená vzťahom
(6)
kde ΔWZ je šírka zakázaného pásma, konst. je konštanta s rozmerom elektrickej vodivosti.
Fermi Diracova rozdeľovacia funkcia
Elektróny ako elementárne častice patria do skupiny fermiónov, t.j. častíc s polovičným spinom ±½. Pravdepodobnosť, že hladina s energiou W je obsadená elektrónom určuje Fermi-Diracova rozdeľovacia funkcia
(7)
kde k je Boltzmanova konštanta, T absolútna teplota a WF je Fermiho hladina definovaná podmienkou, že pravdepodobnosť jej obsadenia je 50%, t.j. F(WF) = ½. Pri teplote absolútnej nuly je Fermiho hladina v kovoch najvyššie obsadenou hladinou.
Pravdepodobnosť, že hladina s energiou W nebude obsadená elektrónom je
(8)
Ak je energia elektrónov dostatočne vzdialená od Fermiho hladiny, prechádza rozdeľovacia funkcia (7) na exponenciálne pravdepodobnostné rozdelenie podľa Maxwella a Boltzmana tvaru
(9)
Pri rozdiele energií (W – WF) väčšom ako 3kT je chyba Maxwell-Boltzmanovho pravdepodobnostného rozdelenia oproti Fermi-Diracovej rozdeľovacej funkcii menšia ako 5%.
Koncentrácia nosičov náboja
Ak poznáme hustotu dovolených stavov vo vodivostnom pásme a pravdepodobnosť ich obsadenia elektrónmi, platí pre hustotu elektrónov vzťah
[m-3] (10)
kde efektívna hustota dovolených stavov vo vodivostnom pásme
[m-3] (11)
Analogicky pre hustotu dier vo valenčnom pásme
[m-3] (12)
kde efektívna hustota dovolených stavov vo valenčnom pásme
[m-3] (13)
Nakoľko pri vlastnom polovodiči platí vzťah (1), intrinzickú koncentráciu môžeme vypočítať z rovníc (10) a (12)
[m-3] (14)
Fermiho hladina a výstupná práca
Energiu Fermiho hladiny vlastného polovodiča môžeme vypočítať z podmienky elektrickej neutrality (1) a z rovníc (10) a (12). Úpravou dostaneme:
[J] (15)
Z rovnice je zrejmé, že pri teplote absolútnej nuly sa Fermiho hladina vlastného polovodiča nachádza v strede zakázaného pásma.
Základnou vlastnosťou Fermiho hladiny je, že hodnota WF je pre systém v termodynamickej rovnováhe konštantná. To platí aj po styku polovodičových materiálov s opačným typom vodivosti, kedy dochádza k vyrovnaniu nábojov, až kým nie je Fermiho hladina v celom objeme štruktúry rovnaká.
Aby sa uvoľnil elektrón z povrchu pevnej látky, musí mať navyše energiu potrebnú na vykonanie práce proti väzbovým a povrchovým silám. Túto energiu nazývame výstupná práca polovodiča a je daná vzťahom
[J] (16)
kde χ je elektrónová afinita, ktorá vyjadruje mieru snahy atómu prijať do svojho elektronového obalu ďalší elektrón.
Pre prímesový polovodič platí rovnica
(17)
kde ni [m-3] je intrinzická koncentrácia. Je zrejmé, že na rozdiel od vlastného polovodiča teraz neplatí rovnosť (1).
Uvažujme polovodič typu N, ktorý obsahuje len jeden druh donorov (napr. kremík dotovaný fosforom) s koncentráciou nD a s prevahou voľných elektrónov (nn>np). Ionizáciou sa zvýši koncentrácia elektrónov na úkor dier, takže súčin nnnp = konst. Pri izbovej teplote sa ešte neuplatní vlastná vodivosť a pre podmienku elektrickej neutrality môžeme písať
(18)
kde je koncentrácia kladne ionizovaných donorov.
Koncentrácia elektrónov postupnou ionizáciou donorov pre nízke teploty je daná vzťahom
(19)
resp.
. (20)
Hallov jav
Hallov jav vzniká vo vzorke vodiča alebo polovodiča pri súčasnom pôsobení elektrického a magnetického poľa. Vplyvom magnetického poľa sú nosiče náboja vychýlené zo svojich dráh a na priečnych elektródach môžeme namerať Hallovo napätie UH.
V praxi sa najčastejšie používa usporiadanie, pri ktorom je vektor magnetického poľa orientovaný kolmo na smer pretekania prúdu vzorkou polovodiča (Obr. 3). Pre prúd platí rovnosť I = JS = Jhb a pre intenzitu elektrického poľa EH=UH/b. Potom pre Hallovo napätie platí:
[V] (21)
kde RH je Hallova konštanta, B vektor magnetickej indukcie a I vektor prúdu a h hrúbka vzorky.
|
Obr. 3 Hallova sonda |
V prípade polovodiča so zmiešanou vodivosťou platí pre výpočet Hallovej konštanty vzťah
(22)
kde nn a np sú koncentrácie elektrónov a dier, un a up sú ich pohyblivosti a A je konštanta závislá od mechanizmu rozptylu voľných nosičov náboja. Ak v polovodiči prevláda jeden typ náboja, dostávame pre Hallovu konštantu zjednodušené výrazy
pre n >> p platí (23)
pre p >> n platí (24)
PN priechod
PN priechod predstavuje oblasť medzi typom N a P polovodiča so zvýšenou rezistivitou - hradlová vrstva. Nevyhnutnou podmienkou je, aby polovodič typu N mal menšiu výstupnú prácu ako polovodič P.
Predpokladajme, že máme vzorku čistého polovodiča, v ktorom je vhodnými prímesami vytvorená v jednej časti vodivosť N a v druhej vodivosť P.
Pretekaním striedavého prúdu sa PN priechod chová aj ako kondenzátor. Náboj nadifundovaný po obidvoch stranách PN prechodu tvorí dosky kondenzátora, oblasť zväčšeného odporu medzi nimi jeho dielektrikum. Jeho kapacitu môžeme vyjadriť vzťahom:
[F] (25)
kde S [m2] je prierez P-N priechodu, nA [m-3] koncentrácia akceptorov, nD [m-3] koncentrácia donorov, Ud [V] difúzne napätie a U [V] je priložené napätie. Znamienko sa mení v závislosti od priloženého napätia U. V priamom smere je znamienko kladné (+) a v závernom smere záporné (-).
Šírku PN priechodu možno určiť zo vzťahu:
[m] (26)
Difúzia elektrónov a dier
V polovodičoch môže vzniknúť nerovnaké rozloženie koncentrácie elektrónov a dier. Tento jav môže byť dôsledkom nerovnorodého znečistenia polovodiča, zohriatím jednej časti polovodiča alebo dotykom s inými látkami. To má za následok, že voľné náboje začnú prenikať z miest s vyššou koncentráciou do miest s nižšou koncentráciou. Tento jav sa nazýva difúzia a je popísaný dvoma Fickovymi zákonmi:
Prvý Fickov zákon vyjadruje vzťah medzi hustotou difúzneho toku a gradientom koncentrácie dn/dx. Ak uvažujeme difúziu častíc len v smere osi x, prvý Fickov zákon možno matematicky popísať vzťahom
[A.m-2] (27)
kde j [A.m-2] je hustota difundujúcich častíc a D koeficient difúzie, ktorý súvisí s pohyblivosťou nábojov.
Koeficient difúzie D je vyjadrený Einsteinovym vzťahom
[m2.s-1] (28)
kde u [m2.V-1.s-1] je pohyblivosť nosičov náboja a k = 1,38.10-23 [J.K-1] je Boltzmannova konštanta. Z Einsteinovej rovnice možno určiť difúzne napätie
[V] (29)
kde Ed [V.m-1] je intenzita elektrického poľa a d [m] šírka PN priechodu
Druhý Fickov zákon (zákon zachovania počtu častíc) určuje rozloženie nadifundovaných častíc s koncentráciou n v čase t v jednotlivých bodoch priestoru, teda koncentračný alebo difúzny profil. Ak uvažujeme len os x, je daný vzťahom
(30)
Prúd nosičov náboja, ktorý vznikne difúziou, označujeme ako difúzny prúd. Ak uvažujeme dva druhy nosičov náboja, určujeme hustotu difúzneho prúdu pre elektróny aj diery. Hustota difúzneho prúdu elektrónov je daná
[A.m-2] (31)
Hustota difúzneho prúdu dier
[A.m-2] (32)
kde L je difúzna vzdialenosť, ktorá je definovaná ako stredná vzdialenosť, na ktorú elektrón difunduje za dobu života τ a platí:
[m] (33)
Celková hustota prúdu je potom daná súčtom hustoty difúzneho prúdu elektrónov a dier, t.j.:
[A.m-2] (34)
11 Technológie výroby polovodičov
11.1 Monokryštály
11.1. 1 Úvod
Do tejto skupiny materiálov zahŕňame objemové a povlakové (vrstvové) monokryštály. Cieľom technológie výroby je dosiahnuť čo najväčšie a najdokonalejšie monokryštály s maximálnou čistotou, prípadne s vopred určeným množstvom prímesí. Objemové monokryštály sa po vyrobení členia na plátky (wafre). Ich príprava zahŕňa rast, čistenie, identifikáciu, rezanie, leštenie a leptanie kryštálu. Povlakové monokryštály sa pripravujú epitaxiou na podložkách [11, 12, 16, 22].
Podľa použitia sa monokryštály delia na základe ich zdôraznenej vlastnosti na:
- monokryštály s polovodičovými vlastnosťami pre prvky mikroelektroniky,
- monokryštály s extrémnou tvrdosťou zaradené do skupiny minerálov a technických kameňov (monokryštály syntetického kremeňa, zafíru a rubínu, Al2O3),
- piezoelektrické monokryštály,
- monokryštály s magnetickými vlastnosťami,
- monokryštály s feroelektrickými vlastnosťami zaradené do skupiny feroelektrík,
- optické monokryštály (syntetické kryštály z roztavených solí pre optiku, t.j. IR a UV prvky),
- funkčné a nosné dielektriká,
- kovové monokryštály – whiskre používané pre výrobu kompozitov.
Chemicky čistený polykryštalický polovodič alebo iný materiál sa použitím známych metód pre výrobu objemových monokryštálov podrobí technologickým operáciám, pri ktorých sa vypestuje monokryštál s požadovanou čistotou a kryštalografickou orientáciou. Objemové monokryštály sa vyrábajú týmito postupmi:
- vyťahovaním z taveniny,
- z vodných roztokov,
- narastaním na monokryštál z roztavených práškov.
11.1.2 Príprava monokryštálov vyťahovaním z taveniny
Czochralského metóda
Zárodok monokryštálu upevnený na ťahacom hriadeli (obr. 11.1) je priložený k tavenine v kremennom tégliku v grafitovom ohrievači (meandrovom odporovom alebo vf indukčnom), pomaly vyťahovaný 5 - 150 mm/h a rotovaný 10 -100 ot/min proti smeru rotácie taveniny 5 - 25 ot/min. Proces prebieha v inertnej atmosfére alebo pod ochrannou taveninou vo vákuovej alebo tlakovej nádobe. Počas tuhnutia vyťahovanej taveniny dochádza k segregácii prímesí opísanej pomerom koncentrácie prímesí v tuhej Cs a kvapalnej fáze Cl - segregačným koeficientom k:
(11.1)
pričom väčšina prímesí má tendenciu ostávať v kvapalnej fáze (tab.11.1). Koncentrácia prímesi sa mení pozdĺž ťahaného kryštálu, lebo objem kvapaliny sa nepretržite zmenšuje. Výsledný monokryštál v tvare valca má približne hyperbolický priebeh koncentrácie nečistôt pozdĺž valca.
Tabuľka 11.1 Segregačné koeficienty podstatných prímesí v kremíku
prvok v Si |
Au |
In |
Ga |
Al |
As |
P |
B |
k |
3.10-5 |
3.10-4 |
4.10-3 |
1,6.10-3 |
7.10-2 |
4.10-2 |
0,8 |
Obr. 11.1 Czochralského metóda
Podmienky rastu monokryštálu:
- vertikálny teplotný gradient (rozhranie medzi monokryštálom a taveninou musí byť chladnejšie ako ostatná tavenina),
- osová symetria tepelného prúdu,
- možnosť kontroly teploty,
- čistý povrch taveniny,
- viskozita taveniny,
- charakter kryštalografických fázových premien.
Podmienky rastu monokryštálu pri ťahaní Czochralského metódou sú uvedené v tab. 11.2.
Tabuľka 11.2 Podmienky pri ťahaní monokryštálov Si, Ge, GaAs Czochralského metódou
|
Si |
Ge |
GaAs |
Tlak v aparatúre (MPa) |
do 0,1 |
do 0,1 |
0,2 |
Rýchlosť ťahania (mm/h) |
30 - 150 |
30 - 150 |
20 - 40 |
Materiál téglika |
kremenné sklo |
grafit |
kremenné sklo |
Atmosféra |
argón, vákuum |
argón, vodík, vákuum |
dusík |
Zariadenie: pracovná komora, téglik, vf ohrev, ťažná tyč, výveva, regulácia prietoku plynu, regulácia teploty.
Pri použití Czochralského metódy teda prebieha aj čistenie kryštálu. Táto metóda sa používa s výhodou najmä pri výrobe monokryštálov kremíka, germánia a GaAs. Nevýhodou Czochralského metódy je možnosť reakcie roztaveného polovodiča s materiálom téglika.
Zónová rafinácia
Princíp metódy, ktorou sa materiál čistí a zároveň kryštalizuje, spočíva v tom, že pozdĺž dlhého ingotu sa pohybuje dlhá priečna roztavená zóna (taviace a tuhnúce rozhranie). Účinnosť čistenia sa zvyšuje počtom prechodov zóny, pričom dochádza k redistribúcii prímesí.
Obr. 11.2 Zónová rafinácia
Na tuhnúcom rozhraní sa pre k < 1 koncentruje prímes v tavenine a pre k > 1 sa koncentruje v tuhej fáze. Na taviacom rozhraní sa materiál taví a zmiešava s kvapalným obsahom zóny. Redistribúcia prímesí nastáva na tuhnúcom rozhraní a prímes sa koncentruje buď v tavenine alebo v tuhej fáze (obr. 11.3). Nakoniec sa dosiahne stav, že nečistoty sa sústredia na konci vzorky v smere pohybu alebo na opačnom konci a stredná časť ingotu sa vyčistí.
Obr.11.3 Fázový diagram
Polykryštálová tyč – ingot upevnený vodorovne v kremennej lodičke alebo zvislo bez nej (metóda visutej zóny) je od zárodku vodorovne, resp. smerom nahor lokálne natavovaný 1 - 5 MHz vf ohrevom, pričom viacnásobným prechodom tejto roztavenej zóny možno dosiahnuť vysoký stupeň vyčistenia. V piedestálovej modifikácii je kryštál s menším priemerom ako ingot vyťahovaný Czochralského metódou, pričom roztavená zóna sa drží povrchovým napätím. Keďže segregačný koeficient hlavnej nečistoty v kremíku bóru je 0,8, je potrebné aplikovať mnoho prechodov zóny. U kremíka je problém aj s vysokým bodom tavenia a vysokou reaktivitou, kvôli čomu sa používa piedestálová metóda v argónovej alebo vákuovej atmosfére.
Zónovou rafináciou sa pripravujú aj InSb, GaSb, AlSb a v tlakovom usporiadaní GaAs a InP.
Bridgemanova metóda
Táto metóda sa využíva najmä pre výrobu GaAs, čím nahradzuje Czochralského metódu. U mnohých zlúčenín má materiál napr. taký vysoký tlak pár, že proces kryštalizácie je potrebné realizovať v zatavených ampulách malého objemu. Pre tieto prípady možno použiť Bridgemanovu metódu.
Princíp metódy: Rozhranie kvapalnej a tuhej fázy sa posúva na základe pohybu celej ampule s taveninou (teda nie je to vyťahovanie monokryštálu z taveniny). Používa sa horizontálne aj vertikálne usporiadanie. Pri vertikálnom usporiadaní (obr. 11.4) sa pohybuje roztavená ampula s taveninou smerom dole a ochladzuje sa na konci topnej pece. Získaný monokryštál má tvar vnútorného priestory ampule. V prípade otvorenej ampule je aparatúra naplnená inertnou atmosférou. Podobne ako pri Czochralského metóde sa dbá na dodržiavanie konštantných rastových podmienok pri raste kryštálu
Obr. 11.4 Princíp prípravy monokryštálov Bridgemanovou metódou
Kontrola kryštalografickej orientácie monokryštálov sa robí röntgenograficky.
Objemové polovodičové monokryštály sa používajú pre výrobu mikroelektronických súčiastok vo forme tenkých plátkov (waferov). Objemový monokryštál sa upravuje na tenké wafre:
- úprava monokryštálu na presný valcovitý tvar,
- rezanie diamantovými alebo laserovými pílami na hrúbku 150 alebo 250 mm (priemer waferu býva okolo 15 až 25 cm),
- obojstranné brúsenie (v jemných práškoch na báze mikrokorundu Al2O3, karbidu kremíka SiC, oxidu kremičitého SiO2, zmesi Al2O3 a ZrO2 alebo diamantu),
- leštenie (ovčie rúno, syntetické usne na báze polyuretánu, oxid céričitý s veľmi jemným zrnom),
- chemické leštenie (soľ kyseliny kremičitej upravenej čpavkom),
- umývanie vo vode vysokej čistoty.
11.1.3 Príprava epitaxných tenkých vrstiev
Epitaxia je narastanie monokryštalickej polovodičovej vrstvy na podložke. Jej výhodou je možnosť plynulo meniť koncentráciu donorových alebo akceptorových prímesí a vytvárať PN priechody. Príprava epitaxných tenkých vrstiev je spôsobom vytvárania monokryštalických tenkých vrstiev z plynnej alebo kvapalnej fázy na monokryštalických podložkách. Homoepitaxiou deponujeme vrstvy rovnakého zloženia ako substrát a heteroepitaxiou rozdielneho zloženia. Podmienkou epitaxného rastu je prispôsobenie mriežkového parametra epitaxantu a substrátu z hľadiska hustoty kryštalografických porúch, činiteľov rozťažnosti a i. Epitaxné vrstvy možno pri raste súčasne dotovať prímesami. Pre vytváranie epitaxných vrstiev na báze kremíka sa používa silán SiH4, monochlorsilán SiH3Cl, tetrachlorid kremíka SiCl4, trichlórsilán SiHCl3.
V modernej elektronike sa v stále väčšej miere využívajú polovodiče vo forme vrstiev, ktoré môžu mať rozličnú hrúbku, rozličnú štruktúru a môžu byť vyrobené rozličnými technológiami, preto príprava monokryštalických vrstiev má v oblasti technológií významné miesto.
a) Epitaxia z plynnej fázy využíva transportné a iné chemické reakcie pri atmosférickom tlaku. Do epitaxnej pece je vháňaný plyn tryskami cez veľmi presné hmotové prietokomery nezávislé od tlaku a teploty plynu umožňujúce presnú reguláciu zloženia a teploty plynu, ktorých princíp je založený na meraní množstva preneseného tepla úmerného hmotnosti pretečeného plynu. Procesná rýchlosť je ~101 - 102 mm/s. Transportnými médiami sú hydridy ako SiH4, PH3 a chloridy ako SiCl4, PCl3. Niektoré zlúčeniny vznikajú priamo v reaktore pri transportnom procese (plynný Cl2 alebo HCl tvorí pri teplote ~102 K plynné chloridy s Ga, In).
Príprava tenkých monokryštalických vrstiev z plynnej fázy (VPE - Vapour Phase Epitaxy) patrí k štandardným technológiám v polovodičovom priemysle, kde slúži ako základ výroby diód, tranzistorov, integrovaných obvodov a pod. Vrstvy sa nanášajú na monokryštalické podložky a ich hrúbka býva rádovo mikrometre (možno ich však vyrobiť aj značne hrubšie). Ide o transportnú chemickú reakciu, pri ktorej sa do sústavy privádza polovodič A vo forme plynnej zlúčeniny s látkou B (tzv. transportným plynom). Plyn sa v dôsledku gradientu tlaku premiestňuje do oblasti podložky (substrátu), kde vplyvom zmeny teploty prebehne reverzná reakcia, pri ktorej sa A vylúči formou monokryštalickej vrstvy na substráte a uvoľnené médium B sa môže cirkulačne vrátiť späť a využiť na pokračovanie epitaxie, prípadne odchádza preč. Dôležité je, aby reakcia prebiehala až na substráte; v opačnom prípade by sa vytvárali zhluky atómov s rozličnou orientáciou.
Tetrachloridový proces depozície kremíka redukciou SiCl4 pri teplote 1 150 - 1 250°C:
resp.
Ak y je pomer SiCl4 s celkovou molekulárnou koncentráciou, pre y < 0,11 prebieha rast a pre y > 0,28 leptanie vrstvy reverznou reakciou.
Pyrolytický rozklad silánu pri teplote od 600°C:
Ak je do pece vháňaná zmes (2H2 + SiCl4), dochádza k epitaxnému rastu a ak je do pece vháňaný HCl dochádza k leptaniu povrchu (obr. 11.5).
Obr. 11.5 Principiálne usporiadanie pre epitaxný rast vrstiev kremíka z plynnej fázy
Silánová epitaxia umožňuje epitaxný rast aj na iných podložkách (zafír, spinel). Jej nevýhodou je samozápalnosť silánu a náchylnosť na polykryštalický rast spôsobený tvorbou zárodočných centier v nosnom plyne. Obdobne sa vytvárajú aj vrstvy germánia.
Epitaxná technológia zlúčenín typu AIII BV (GaAs) je zložitejšia. Epitaxný rast vrstiev GaAs: pri teplote nad 600 K sa rozloží chlorid arzenitý transportovaný vodíkom:
vzniknutý plynný chlorovodík reaguje s gáliom zohriatym na 1 000 K:
a nakoniec v depozičnej oblasti pri teplote <1000 K reaguje chlorid galitý s parami arzénu:
Rýchlosť epitaxného rastu je ~1 mm/min, pre dopovanie sa pridáva najmä bór z B2H6 pre polovodič typu P a arzén z AsH3, fosfor z PH3 pre polovodič typu N.
Pri selektívnej epitaxii využívame skutočnosť, že na selektovaných ostrovčekoch rastie vrstva monokryštalická a na krycej vrstve polykryštalická s vysokou rezistivitou, čím sú tieto ostrovčeky vzájomne odizolované.
b) Epitaxiou z kvapalnej fázy (LPE – Liquid Phase Epitaxy) možno získať veľmi čisté vrstvy a viacvrstvové štruktúry s výraznou zmenou koncentrácie prímesí (obr. 11.6).
Obr. 11.6 Fázový diagram
Epitaxant rozpustený v rozpúšťadle je znížením teploty privedený do stavu presýtenia roztoku a po kontakte so substrátom sa naň zráža. Je potrebná malá rozpustnosť rozpúšťadla v nanášanej látke a vysokočistá pracovná atmosféra (najmä vodíková). Postupným znižovaním teploty sa tavenina ochudobní o arzén a nerozpustný GaAs sa usadzuje na monokryštalickej podložke. Epitaxiou z kvapalnej fázy možno získať veľmi čisté vrstvy a viacvrstvové štruktúry s výraznou zmenou koncentrácie prímesí.
Teplota procesu býva hlboko pod bodom tavenia danej látky, čo značne obmedzuje kontamináciu vrstiev a znižuje počet štruktúrnych defektov, čomu dopomáha aj naleptanie povrchu substrátu pred epitaxiou. Procesná rýchlosť je ~101 - 102 mm/s. U nestacionárnej LPE vrstiev GaAs sa znížením teploty tavenina ochudobní o arzén a nerozpustený GaAs sa usadzuje na podložke. U preklápacieho systému je lodička so substrátom na jednom konci a roztokom na druhom preklopená tak aby roztok zalial povrch substrátu. Sústava je uzavretá v ampule s vhodnou atmosférou a umiestnená v odporovej peci. Najpoužívanejší systém s posuvnou lodičkou využíva pohyb lodičky s roztokom v nádržke ponad substrát (obr. 11.7). LPE sa využíva na prípravu vysoko náročných vrstiev najmä typu AIIIBV ako GaAs, GaP, Ga1xAlxAs pre špeciálne polovodičové vf a luminiscenčné prvky.
Obr. 11.7 Principiálne usporiadanie pre LPE s posuvnou lodičkou
c) Molekulárna epitaxia je ultravákuové (10-8 - 10-9 Pa) vytváranie veľmi tenkých viaczložkových vrstiev naparovaním zväzkami atómov, alebo molekúl rýchlosťou ~1 nm/min (obr. 11.8).
Obr. 11.8 Schéma aparatúry pre molekulárnu epitaxiu
Zväzok je sústredený kolimačnými štrbinami a rýchlo prerušovateľný ovládacími clonami. Súčasťou je kvadrupólový hmotový spektrometer na analýzu zvyškových plynov, Augerov elektrónový spektroskop na chemickú analýzu povrchu substrátu a s ním iónové delo na analýzu zloženia naparovanej vrstvy a zariadenie na difrakciu elektrónov na odraz na sledovanie štruktúry vrstiev. Využíva povrchové analytické metódy s mimoriadne presným počítačovým riadením naparovacej rýchlosti a zloženia vrstiev s molekulárnou presnosťou. Možno ňou pripravovať izolačné aj kovové vrstvy v jednom cykle. Každý epitaxant sa nachádza vo vlastnej peci s nastaviteľnou odparovacou rýchlosťou v tégliku z nitridu bóru ovinutom ohrievacou tantalovou špirálou. Pri epitaxii vrstiev GaAs je zabezpečený prebytok molekúl As2, ktorý sa po reakcii všetkých atómov Ga odrazí späť. Využíva sa pri výrobe mikrovlnných diód, Schottkyho MOS tranzistorov, injekčných polovodičových laserov, optických vlnovodov, IO.
d) Grafoepitaxia je spôsob vytvárania epitaxných vrstiev na amorfných materiáloch vytvorením povrchového reliéfu s usporiadaním na veľkú vzdialenosť a rozmermi porovnateľnými s veľkosťou prirodzených monokryštalických zŕn polykryštalickej vrstvy. Takéto orientované vrstvy možno vytvoriť napr. laserovým žíhaním amorfnej kremíkovej vrstvy na povrchu amorfného SiO2 s vytvorenou mriežkou s pravouhlými výstupkami vo vzájomnej vzdialenosti 3,8 mm vytvorenou reaktívnym iónovým leptaním s použitím röntgenovej litografie.
11.2 Príprava polykryštalických a amorfných vrstiev
11.2.1 Fyzikálne metódy depozície tenkých vrstiev
a) Vákuové naparovanie
Vytvárame ním tenké (amorfné) vrstvy odparovaním vyhrievaného materiálu (Si, Ge, InSb) vo vysokom vákuu (< 10-4 Pa) kondenzáciou jeho pár na chladnejšej podložke, pričom na dosiahnutie primeraných naparovacích rýchlostí ho treba vyhriať na takú teplotu, aby tlak nasýtených pár dosiahol minimálne 1 Pa, obvykle 1 000 – 2 000°C. Pre odparovacie špirály a lodičky zvyčajne používame Mo, W alebo Ta, ktoré majú požadovaný nízky tlak pár a netvoria s odparovanými materiálmi eutektickú zliatinu (obr. 11.9). Vysokotaviteľné alebo reaktívne materiály (Ta) odparujeme ohrevom elektrónovým zväzkom o energii 4 -10 keV o prúde niekoľko sto mA.
.
Obr. 11.9 Princíp vákuového naparovania
Zlúčeniny možno pripravovať reaktívnym naparovaním s privádzaním plynu obsahujúceho atómy budúcej zlúčeniny, dvojzložkové materiály bleskovým odparovaním ~100 mm zrniečok dopadajúcich na vyhriatu podložku, kovy explóziou tenkých drôtikov prechodom prúdového impulzu ~106Acm-2 ( Metóda „flash naparovania“ – obr. 11.10)
Obr. 11.10 Metóda naparovania „flash“
b) Katódové naprašovanie
Je spôsobom nanášania tenkých vrstiev impulzným odprašovaním na substrát. Pri diódovom type je materiál katódy tlejivým výbojom v inertnom plyne (Ar) pri tlaku 0,1 - 1 Pa, napätí niekoľko kV a energii 40 - 130 keV odprašovaný na substrát na anóde. Kladné ióny plynu vznikajúce vo výboji nárazovou ionizáciou sú elektrickým poľom unášané ku katóde a uvoľňujú z nej čiastočky materiálu vo forme neutrálnych atómov a čiastočne aj iónov.
Pomerne vysoký tlak v systéme spôsobuje zvýšené znečistenie zvyškovou atmosférou, preto nemožno získať extrémne čisté vrstvy. Efektívnosť procesu vyjadruje koeficient katódového rozprašovania S ako pomer počtu rozprášených atómov Na a dopadnutých iónov Ni.
Obr.11.11 Princíp katódového naprašovania (ióny Ar + bombardujú terč vyrážajú materiál terča a sekundárne elektróny, ktoré priťahuje uzemnená podložka (anóda). Elektróny prichádzajúce do kolízie s atómami Ar môžu spôsobiť ionizáciu, ktorej výsledkom je ión Ar+ a dva elektróny)
Obr. 11.12 Základné usporiadanie pre diódové jednosmerné naprašovanie
- Reaktívnym katódovým naprašovaním vytvárame tenké vrstvy zlúčenín (Al2O3) chemickou reakciou odprašovaného materiálu s pridaným reaktívnym plynom.
- Magnetrónové naprašovanie zväčšuje pravdepodobnosť ionizujúcich zrážok zakrivovaním dráh elektrónov vonkajším magnetickým poľom.
- Getrovacie rozprašovanie potláča vplyv nečistôt nosného plynu ich chemickou väzbou s rozprašovaným kovom a následným usadzovaním na stenách nádoby.
- Triódovým naprašovaním možno pri zníženom tlaku zachovať koncentráciu ionizujúcich elektrónov pomocnou termokatódy emitujúcej elektróny nezávisle od tlaku, čo znižuje kontamináciu zvyškovou atmosférou.
- Vysokofrekvenčným rozprašovaním vytvárame izolačné a dielektrické vrstvy. Vf pole (~MHz, 20 mAcm-2) zabraňuje hromadeniu kladného náboja na nevodivom terčíku s materiálom a záporné predpätie hromadeniu záporného náboja počas kladnej polovlny vf zdroja. Pracovný tlak býva ~0,1 Pa, naprašovacia rýchlosť ~ 80 nm.min-1, u kovov býva podstatne vyššia.
- Plazmové naprašovanie: Pri tlaku 2 – 7 Pa sa zapáli tlejivý výboj. Kladné ióny bombardujú terčík a vyrážajú z neho atómy. Tieto sa dostávajú na substrát. Metódou možno naparovať aj ťažko naparovateľné izolátory, ak ich upevníme na kovovú podložku (obr. 11.3).
Obr. 11.13 Plazmové naprašovanie
- Naprašovanie iónovým lúčom
Na prípravu tenkých vrstiev bola vyvinutá metóda naprašovania v jednosmernom alebo vysokofrekvenčnom tlejivom výboji. Princíp spočíva v tom, že kladné ióny s energiou jednotiek až desiatok eV sú urýchľované elektrickým poľom a ich tok je usmernený na katódu, tzv. terč. Terč je vyhotovený z materiálu, ako je požadovaná tenká vrstva. Ióny terč „bombardujú„, vytrhávajú z neho atómy alebo ióny, ktoré potom kondenzujú na podložke. Výhodou je možnosť naprašovania vo vákuu. Ak sa do pracovného priestoru pridá ešte O2 (obr. 11.14), môže nastať želaná chemická reakcia.
Obr. 11.14 Zariadenie na naprašovanie iónovým lúčom
11.2.2 Chemické metódy depozície tenkých vrstiev
a) Chemická depozícia z kvapalnej fázy
- Homogénna reakcia: vytváranie kovových vrstiev redukciou iónov roztoku kovu zmiešaním s redukčným roztokom na substráte. Používa sa na plátovanie medi pre DPS, nanášanie striebra na sklo (plast) pre zrkadlá.
- Autokatalytická redukcia: vytváranie kovových vrstiev redukciou iónov na katalytickom povrchu. Bezprúdové pokovenie Ni, Co, Pd, Pt, Cu, Au, Ag používame len výnimočne, pretože reduktanty (NaH2PO2, formaldehyd, hydrazín) sú drahšie ako elektrická energia na galvanické pokovenie.
- Konverzné pokrývanie: (elektro)chemické pôsobenie na kov so vznikom vrstvy jeho zlúčeniny pre zvyšovanie koróznej odolnosti chromátovaním, úpravu povrchov pod nátery, vytváranie čiernych antireflexných vrstiev konverznou oxidáciou Fe, Cu a ich zliatin.
- Anodizácia: vytváranie oxidových vrstiev na kovovej (Al) alebo polovodičovej (pri zisťovaní koncentračného profilu prímesí v Si, GaAs) anóde elektrolýzou. Kyslíkové ióny pre oxidáciu možno získať aj z plazmy jednosmerného alebo vysokofrekvenčného elektrického výboja v kyslíku.
b) Chemická depozícia z plynnej fázy (CVD – Chemical Vapour Deposition) - umožňuje vytvárať polovodičové, dielektrické aj kovové vrstvy rôzneho stechiometrického zloženia amorfnej alebo polykryštalickej štruktúry, akú nemožno získať inými metódami. Možno ju uskutočňovať pri atmosférickom tlaku pri teplote 700 –1 050 OC za použitia H2 ako nosného plynu v prostredí reaktora (obr. 11.15).
Obr. 11.15 Horizontálny reaktor pre metódu CVD
Homogénnejšie vrstvy možno získať nízkotlakovou CVD pri teplotách 650 – 800°C, pretože pri tlakoch 50 -100 Pa sa výrazne zväčšuje difuzivita plynov. Metódou CVD sa pre mikroelektroniku pripravujú najmä dielektrické, pasivačné a aj epitaxné polovodičové vrstvy.
12 Technológie výroby polovodičových súčiastok
12.1 Technológia výroby polovodičových súčiastok a IO
Klasifikácia polovodičových súčiastok a integrovaných obvodov (IO) z pohľadu:
- fyzikálnej podstaty a technológie aktívnych súčiastok a technológie vytvárania obvodov (obr. 12.1) :
Obr. 12.1 Klasifikácia integrovaných obvodov z pohľadu fyzikálnej podstaty a technológií ich tvorby
- stupňa integrácie obvodov:
Technológia výroby unipolárnych integrovaných obvodov sa zdokonaľuje každým rokom. Zvyšovaním integrácie (počtu základných elementov na jednotku plochy, resp. na čipe), čiže zmenšovaním rozmeru súčiastok sa dosahuje vyšší výkon mikroprocesorov pripravovaných unipolárnou technológiou. Mikroprocesory a počítače pripravené na základe unipolárnej technológie predstavujú dnes neoddeliteľnú súčasť existencie moderného človeka. Zásluhou použitia mikroprocesorov sme svedkami tzv. informačnej revolúcie, ktorá mení základné rozmery nášho sveta. Ukážka integrovaného obvodu na báze hrubých vrstiev a keramiky LTCC je na obr. 12.2.
Obr. 12.2 Ukážka integrovaného obvodu na báze hrubých vrstiev a keramiky LTCC
Základnou súčiastkou unipolárnej technológie je tranzistor pracujúci na základe efektu poľa (field effect transistor - FET). V tejto súčiastke je prúd v čiastočne elektricky vodivom kanále ovládaný napätím na hradle, ktoré tvorí štruktúra kov-oxid-polovodič (metal-oxide-semiconductor, MOS). Dnešná technológia unipolárnych integrovaných obvodov je postavená na základe komplementárnych štruktúr kov-oxid-polovodič (complementary metal-oxide-semiconductor, CMOS), kde sa využívajú MOS FET tranzistory typu p a n (pMOS, nMOS). Triedenie IO z pohľadu stupňa integrácie je uvedené v tab. 12.1.
Tabuľka 12.1 Triedenie integrovaných obvodov z pohľadu stupňa integrácie
Stupeň |
Integrácia – miniaturizácia |
Počet hradiel |
Počet súčiastok |
Rozmery doštičky (mm) |
1 |
SSI – integrácia malého stupňa |
10 - 15 |
30 - 50 |
1 x 1 |
2 |
MSI – integrácia stredného stupňa |
25 - 100 |
75 - 300 |
1,5 x 2 |
3 |
LSI - integrácia veľkého stupňa |
› 100 |
500 - 1 500 |
2,5 x 3 |
4 |
VLSI - integrácia veľmi vysokého stupňa |
› 1 000 |
› 2 500 |
4 x 4 |
5 |
ULSI – integrácia ultra vysokého stupňa |
› 10 000 |
› 100 000 |
- |
Súčasný stav materiálovej výroby a fotolitografických technológií dovoľuje komerčnú výrobu obvodov so šírkou čiary pod 0,15 mm. Integrované obvody sú stále zložitejšie a na čipe je integrovaných neustále väčší počet tranzistorov (obr. 12.3 a).
Obr. 12.3. a) Vývoj počtu tranzistorov na čipe v mikroprocesorovej logike
S vyššou hustotou integrácie, ktorá umožňuje väčšiu zložitosť obvodov bez nárastu ich fyzickej veľkosti, rastie i počet operácií, ktoré vykonávajú. Súčasne rastie potreba obvody riadiť väčším počtom vstupných signálov. Preto rastie i počet vývodov takýchto obvodov. Graficky je závislosť počtu vývodov IO na počte logických obvodov na čipe na obr. 12.3 b).
Obr. 12.3 b) Vývoj počtu vývodov integrovaných obvodov v závislosti na počte logických obvodov integrovaných na čipe
12.2 Príprava PN priechodov
Okrem epitaxnej technológie (časť 11 Technológie výroby polovodičov) poznáme niekoľko ďalších metód prípravy PN priechodov:
1. Klasická zliatinová (legovacia) metóda
Presne odvážená pilulka dotovacieho materiálu sa položí na vopred dotovanú polovodičovú platničku na miesto, kde chceme mať PN priechod. Pri zvyšujúcej sa teplote sa zliatina roztopí na povrchu polovodiča, potom sa vrstva polovodiča rozpustí v zliatine, ktorej zložky prechádzajú difúziou do polovodiča. Nasleduje chladnutie, pri ktorom vrstva polovodiča už so zabudovanou prímesou znovu kryštalizuje do pôvodného stavu. Na stanovenie hĺbky PN priechodu, ktorá sa vytvorí pri určitej teplote, je dôležité poznať rozpustnosť polovodičových materiálov v rôznych látkach. Ako akceptorová zliatina pri kremíku sa používa eutektická zliatina Al-Si, donorové zliatiny bývajú na báze Sn-P. Schéma zliatinového PN priechodu je na obr. 12.4. a rez zliatinového tranzistoru na obr. 12.5.
Obr. 12.4 Schéma zliatinového PN priechodu
Obr. 12.5 Rez zliatinového tranzistoru
2. Difúzna technológia
Difúzia prímesi v pevnej fáze je široko používaná technológia vytvárania PN priechodov, najmä v kremíku. Difúzny koeficient prímesových atómov je v porovnaní s voľnými nosičmi o niekoľko rádov menší, z čoho vyplýva potreba energetickej dotácie. Selektovaný povrch substrátu vystavíme vysokej koncentrácii dopačných atómov v plynnom, kvapalnom alebo pevnom skupenstve v stave vysokej difuzivity, t.j. pri vysokej teplote. Dochádza k ich zabudovaniu do kryštálovej mriežky substrátu. Dopantami sú najmä zlúčeniny bóru, arzénu a fosforu v rôznej fáze. Dopačná pec je podobná oxidačnej.
Preferovanou technikou je difúzia v otvorenej komore (obr. 12.6), ktorá je rozdelená do dvoch fáz. Počas fázy predepozície je riadené množstvo prímesí aplikované na vyhriaty substrát prúdením zmesi nosného a dopantného plynu. Povrchová koncentrácia dopantov závisí na ich type, teplote a tlaku a na teplote substrátu. Pre danú prímes, teplotu a parciálny tlak existuje maximálna koncentrácia prímesí - pevná rozpustnosť, čo umožňuje riadiť koncentračný gradient prímesi v substráte. Každý dopant charakterizuje krivka rozpustnosti v pevnej fáze.
Obr. 12.6 Difúzia v otvorenej komore
Schéma tranzistora s nadifundovanou bázou a zliatinovým emitorom je na obr. 12.7.
Obr. 12.7 Schéma tranzistora s nadifundovanou bázou a zliatinovým emitorom
Difúzia v evakuovanej komore je používaná pre prímesi ako As, Sb. Substrát je obtekaný prúdom zmesi inertného a dopačného plynu.
3. „Mesa“ technológia
Obr. 12.8 Schéma technológie „Mesa“
„Mesa“ technológia (obr. 12.8) vznikla kombináciou difúznej a zliatinovej metódy, vývoj však vyústil do epitaxnej technológie, ktorá sa na prípravu PN priechodov používa často. Tranzistory vyrábané technológiou „mesa“ majú podobu „stolíka“. Ako prvá táto technológia umožnila hromadnú výrobu tranzistora.
1. Planárna technológia
Typickým znakom planárnej technológie je umiestnenie všetkých vývodov v jednej rovine. Postup výroby planárneho tranzistora je na obr. 12.9.
Obr. 12.9 Postup výroby planárneho tranzistora
V doštičke kremíka typu N sa vytvorí (napr. tepelnou oxidáciou) vrstva izolačného laku SiO2, na ktorú sa nanesie fotorezist a priloží sa fotomaska. Vplyvom osvetlenia sa fotorezist spolymerizuje, zamaskované časti ostávajú nespolymerizované a ľahko sa zmyjú. Nasleduje odleptanie nepokrytej vrstvy SiO2 až po povrch polovodiča a odstránenie fotorezistu. Do odkrytého polovodič sa nechá nadifundovať prímes typu P do požadovanej hĺbky. Celý proces sa opakuje až do prekompenzovania vrstvy typu P vhodným donorom. Nakoniec sa vyleptajú miesta pre naparenie kovových kontaktov emitora a bázy, na ktoré sa termokompresiou pripoja drôtové vývody.
Táto technika využíva pre tvorbu PN priechodov difúziu, pričom difúzia prebieha cez „okná“ v oxidovej vrstve. „Okná“ sa vytvárajú fotolitografickým postupom.
Planárna technológia spolu s epitaxnou predstavuje základnú metódu na sériovú výrobu elektronických súčiastok. Sprievodné technológie pri tejto metóde sú: fotolitografia, oxidácia SiO2 vrstvy, difúzia, lokálne dopovanie. Na obr. 12.10 je schematické usporiadanie štruktúry MOS tranzistora riadeného poľom zhotoveného na princípe planárnej technológie.
Obr. 12.10 Schematické usporiadanie štruktúry MOS tranzistora riadeného poľom zhotoveného na princípe planárnej technológie
5. Iónova implantácia
Iónovou implantáciou sa prímesové atómy dostávajú do materiálu formou prúdu iónov s vysokými energiami (MeV). Zariadenie pre iónovú implantáciu je na obr. 12.11. Výhodou je možnosť prenikania iónov cez vrstvu SiO2, pričom hĺbka vniknutia do kremíka býva v rozmedzí 1 - 4 mm. Podstatné vylepšenie riadenia a tým presnosti dopovacieho procesu dosahujeme magnetickou fókusáciou lúča vysokopohyblivých iónov prímesí na povrch substrátu. Lúč získava potrebnú energiu, aby prenikol pod povrch substrátu a zabudoval sa do kryštálovej mriežky vysokým napätím v urýchľovacej komore.
Obr. 12.11 Schéma zariadenia pre iónovú implantáciu (1 - zdroj iónov, 2 - separátor, 3 - clona, 4 - urýchľovač iónov, 5 - šošovka, 6 - elektródy pre vychyľovanie iónov, 7 - elektródy pre vertikálne rozmetanie lúča, 8 - clona, 9 - elektródy pre horizontálne rozmetanie lúča, 10 - terč, 11 - lúč neutrálnych atómov, 12-– lúč iónov)
Nevyžaduje vysoké procesné teploty, preto nedochádza k narušeniu už vytvorených štruktúr difúziou. Hĺbkový koncentračný profil má Gaussovo rozdelenie. Nedostatkom procesu je deštrukcia mriežky, čo možno redukovať difúznym žíhaním. Iónovou implantáciou pripravujeme veľmi plytké ~1mm PN priechody alebo ňou modifikujeme elektrickú vodivosť povrchu polovodičových substrátov. Používa sa tiež na amorfizáciu povrchu.
Pre iónovú implantáciu sa používajú: fluorid fosforu (PF3), arzénu (AsF3), bóru (BF3, BF6). Sú to vysoko jedovaté plyny, ktoré sa vypúšťajú sa z fliaš za podtlaku ku kremíkovej doštičke. Prebehne difúzia na vhodných miestach Zariadenie pre iónovú implantáciu tvorí zdroj iónov, urýchľovacia sústava, zaostrovací systém a držiak terča.
12.3. Fotolitografia, leptanie, dotovanie
12.3.1 Fotolitografia
Fotorezistná maska: Počítačom navrhnutý motív je elektrónovým lúčom exponovaný na deponovanú organickú negatívnu (pozitívnu) fotorezistívnu masku, ktorá polymerizuje a neožiarené (ožiarené) časti sa opláchnu rozpúšťadlom. Minimálny rozlíšiteľný detail určuje rozlišovaciu schopnosť. Vznik obrazca pomocou negatívneho a pozitívneho fotorezistu je na bor. 12.12.
Obr. 12.12 Vznik obrazca pomocou a)negatívneho a b) pozitívneho fotorezistu
Moderné epitaxné metódy vytvárajú nanometrické štruktúry narastajúce vo vertikálnom smere (t.j. výsledné vrstvy sú rovnobežné s podložkou) Pre realizáciu veľmi jemne členitých elektronických štruktúr boli vyvinuté viaceré litografické a leptacie metódy. Pri výrobe integrovaných obvodov sa pre prenesenie obrazu používa prevažne optická fotolitografia. Moderné projekčné metódy používajú pre osvetlenie fotocitlivej látky (fotorezist - svetlocitlivý a kyselinovzdorný materiál ) cez masku žiarenie v krátkovlnnej UV oblasti spektra. Vďaka krátkej vlnovej dĺžke tohto žiarenia (cca 200 nm) sú chyby zobrazenia spôsobené difrakciou minimalizované. Obraz sa prenáša postupne cez úzku štrbinu, tak aby sa predišlo chybám spôsobeným chybami veľkých šošoviek. Napriek tomu nie je možné optickou litografiou zobraziť detail menší ako niekoľko stoviek nanometrov. Ďalšie zvýšenie rozlišovacej schopnosti je možné dosiahnuť použitím röntgenovej alebo elektrónovej litografie. Litografický proces je jedným z najkritickejších technologických krokov pri výrobe integrovaných obvodov. Touto technikou je možné vytvárať „okná“, ktorých bočná dĺžka je od 1 mm do 100 nm.
Obraz vytvorený vo fotoreziste je nutné preniesť do polovodičového materiálu. Fotorezist vytvára na povrchu polovodiča zakryté miesta. Zvyšný, nezakrytý povrch sú tzv. „okná“, cez ktoré prebieha dotácia materiálu, nanesenie vrstiev, leptanie. Zakrývanie povrchu materiálu sa uskutočňuje podľa toho, či sa jedná o pozitívny alebo negatívny spôsob. U nanometrických štruktúr sa dáva prednosť pozitívnemu fotorezistu pre negatívnym, pretože sa vyznačuje väčšou citlivosťou na exponujúce žiarenie a výsledný tvar presnejšie kopíruje exponovaný obraz. Jednotlivé kroky fotolitografického procesu sú na obr. 12.13
Obr. 12.13 Kroky fotolitografického procesu: a) nanášanie fotorezistu, b) expozícia fotorezistu cez masku a vytvorenie „okien“ c) leptanie cez „okná“ d) difúzia dopantov
Pre litografiu nanometrických štruktúr sa často používa aj modifikovaná tzv. „lift-off“ metóda (obr. 12.14). Nová vrstva sa nanáša až na povrch s fotorezistorovými „oknami“ a následným leptaním sú odstránené časti ležiace na fotoreziste. Výsledný tvar kopíruje rozmery „okien“.
Obr. 12.14. Litografická metóda „lift-off“
12.3.2 Leptanie
Verné prenesenie detailov elektronickej štruktúru je podmienené tiež vhodnou voľbou leptacej metódy. Mokré metódy leptania sa vzhľadom k chemickej povahe odstraňovania materiálov pomocou leptadiel vyznačujú malou anizotrópiou. Leptaná vrstva je vo všetkých smeroch odstraňovaná približne rovnako rýchlo a požadovaný tvar je tak značne deformovaný (podleptávanie). Na druhej strane suché metódy využívajú zväčša fyzikálny spôsob odstraňovania vrstiev pomocou urýchľovaných iónov, vykazujú dobrú anizotrópiu avšak tiež malú selektivitu, t.j. približne rovnako rýchlo odstraňujú ľubovoľnú vrstvu, teda aj fotorezist (obr. 12.15).
Obr. 12.15 Izotropné a anizotrópne leptanie
Prehľad leptacích metód je na obr. 12.16.
Obr. 12.16 Prehľad leptacích metód
12.3.3 Lokálne dopovanie
Je nesmierne ťažko precízne lokalizovať zmenu v koncentrácii dopantov v základnom materiále, napr. pri výrobe PN priechodu. Obvykle toho dosahujeme dopovaním atómov do polovodiča vysokoteplotnou difúziou v pevnej fáze a nízkoteplotnou iónovou implantáciou. Proces je lokalizovaný za pomoci chrániacich masiek.
Pre dopovanie sa ako nosné plyny používajú Ar, N2, H2:
- pre dotovanie polovodiča typu N sa používa plyn fosfín (PH3), arzín (AsH3),
- pre dotovanie polovodiča typu P sa používa diboran (B2H2).